基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器

    公开(公告)号:CN110057389B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN201910495824.3

    申请日:2019-06-10

    Abstract: 本发明公开了基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器,包括宽带光源、第一单模光纤、第一无芯光纤、至少有两个气孔且其中一部分气孔外露的边孔光纤、第二无芯光纤、第二单模光纤、光谱仪。光场能量被第一无芯光纤分光分别进入边孔光纤的纤芯、与外界环境连通的孔以及被封闭的孔。这三路光场能量被第二无芯光纤合并,再经第二单模光纤输出至光谱仪。边孔光纤纤芯以及与外界连通的孔中的两束光发生干涉,形成马赫曾德干涉,其干涉光谱随着外界环境变化;纤芯和被封闭的孔中的两束光也发生马赫曾德干涉,其干涉光谱不受外界环境的变化影响。两个马赫曾德干涉并联形成游标效应,使传感器具有44084.1nm/RIU的超高灵敏度。

    一种宽带超材料太赫兹吸波器

    公开(公告)号:CN107994353B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN201810022439.2

    申请日:2018-01-10

    Abstract: 本发明公开了一种宽带超材料太赫兹吸波器,由金属衬底和金属衬底上面的介质方块构成;金属衬底通过蒸镀工艺镀到一块表面平整的介质层的一面,再反过来将没有镀金属的一面利用传统光刻曝光以及显影刻蚀技术制造出介质方块。介质方块以周期性排列在金属衬底上,周期小于入射波长,其中每个周期内包含9个介质方块,以3*3的形式排列在同一周期内,每个介质方块的边长不同。不同尺寸的介质方块分别在不同频率处产生磁谐振,与入射电磁场耦合形成吸收。本发明打破传统超材料结构设计的局限,在超材料的同一周期内组合多个不同尺寸的介质方块,形成宽带的吸收。本发明结构简单,容易加工,效果较好。

    基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器

    公开(公告)号:CN110057389A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910495824.3

    申请日:2019-06-10

    Abstract: 本发明公开了基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器,包括宽带光源、第一单模光纤、第一无芯光纤、至少有两个气孔且其中一部分气孔外露的边孔光纤、第二无芯光纤、第二单模光纤、光谱仪。光场能量被第一无芯光纤分光分别进入边孔光纤的纤芯、与外界环境连通的孔以及被封闭的孔。这三路光场能量被第二无芯光纤合并,再经第二单模光纤输出至光谱仪。边孔光纤纤芯以及与外界连通的孔中的两束光发生干涉,形成马赫曾德干涉,其干涉光谱随着外界环境变化;纤芯和被封闭的孔中的两束光也发生马赫曾德干涉,其干涉光谱不受外界环境的变化影响。两个马赫曾德干涉并联形成游标效应,使传感器具有44084.1nm/RIU的超高灵敏度。

    一种宽带超材料太赫兹吸波器

    公开(公告)号:CN107994353A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201810022439.2

    申请日:2018-01-10

    Abstract: 本发明公开了一种宽带超材料太赫兹吸波器,由金属衬底和金属衬底上面的介质方块构成;金属衬底通过蒸镀工艺镀到一块表面平整的介质层的一面,再反过来将没有镀金属的一面利用传统光刻曝光以及显影刻蚀技术制造出介质方块。介质方块以周期性排列在金属衬底上,周期小于入射波长,其中每个周期内包含9个介质方块,以3*3的形式排列在同一周期内,每个介质方块的边长不同。不同尺寸的介质方块分别在不同频率处产生磁谐振,与入射电磁场耦合形成吸收。本发明打破传统超材料结构设计的局限,在超材料的同一周期内组合多个不同尺寸的介质方块,形成宽带的吸收。本发明结构简单,容易加工,效果较好。

    一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器

    公开(公告)号:CN110048239A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910484113.6

    申请日:2019-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器,包括三层结构,由下至上依次为:硅衬底层、超材料层和光泵浦源,所述硅衬底层和超材料层均为掺硼的p型硅材料,所述超材料层由单元结构阵列组成,单元结构阵列在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层,太赫兹波入射到所述吸波器上,被耦合进吸波器并激发电磁共振,实现对太赫兹波的宽带吸收,所述光泵浦源产生泵浦光束,正入射到所述硅衬底层和超材料层上,改变掺杂硅的载流子浓度,实现吸波器对太赫兹波的吸收频带、吸收率的调制功能;本发明结构简单,材料单一,易于加工,对太赫兹波吸收率较高,吸收带宽较宽,具有光调制功能,可广泛应用于成像、隐身、通信、太赫兹检测等多个领域。

    一种基于石墨烯与超材料的宽带可调太赫兹吸波器

    公开(公告)号:CN208173803U

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201820719235.X

    申请日:2018-05-15

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯与超材料的宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由底部第一层金属层、第二层电介质层、第三层周期性结构化的石墨烯层、第四层电介质隔离层和顶部第五层周期性结构化的石墨烯层构成;石墨烯具有巨大的吸收率,通过五层之间的相互作用形成一个对太赫兹波吸收较大的宽带吸波器,并且在该吸波器上施加电压会改变两个石墨烯层中的费米能级,实现吸收谱可调节。本实用新型打破传统超材料的吸收频带相对较窄的局限,在使用周期小于波长的超材料结构的同时加入了结构化的石墨烯,形成宽带可调的太赫兹吸波器。本实用新型结构简单,容易加工,且吸收效果较好。

    基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器

    公开(公告)号:CN209945377U

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201920859612.4

    申请日:2019-06-10

    Abstract: 本实用新型公开了基于边孔光纤双马赫曾德干涉游标效应的光纤传感器,包括宽带光源、第一单模光纤、第一无芯光纤、至少有两个气孔且其中一部分气孔外露的边孔光纤、第二无芯光纤、第二单模光纤、光谱仪。光场能量被第一无芯光纤分光分别进入边孔光纤的纤芯、与外界环境连通的孔以及被封闭的孔。这三路光场能量被第二无芯光纤合并,再经第二单模光纤输出至光谱仪。边孔光纤纤芯以及与外界连通的孔中的两束光发生干涉,形成马赫曾德干涉,其干涉光谱随着外界环境变化;纤芯和被封闭的孔中的两束光也发生马赫曾德干涉,其干涉光谱不受外界环境的变化影响。两个马赫曾德干涉并联形成游标效应,使传感器具有44084.1nm/RIU的超高灵敏度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器

    公开(公告)号:CN209626432U

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201920837489.6

    申请日:2019-06-05

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器,包括三层结构,由下至上依次为:硅衬底层、超材料层和光泵浦源,所述硅衬底层和超材料层均为掺硼的p型硅材料,所述超材料层由单元结构阵列组成,单元结构阵列在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层,太赫兹波入射到所述吸波器上,被耦合进吸波器并激发电磁共振,实现对太赫兹波的宽带吸收,所述光泵浦源产生泵浦光束,正入射到所述硅衬底层和超材料层上,改变掺杂硅的载流子浓度,实现吸波器对太赫兹波的吸收频带、吸收率的调制功能;本实用新型结构简单,易于加工,对太赫兹波吸收率较高,吸收带宽较宽,具有光调制功能,可广泛应用于成像、隐身、通信、太赫兹检测等多个领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于阵列波导光栅的无创血糖检测装置

    公开(公告)号:CN210673326U

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201920986194.5

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于阵列波导光栅的无创血糖检测装置,包括近红外宽带光源、阵列波导光栅、待测腔体、光电二极管阵列探测器和计算机。被测人员将手指伸入待测腔体,近红外宽带光源发出的近红外光入射到阵列波导光栅后,在其不同的输出波导末端分别形成具有特定波长的测量光及参考光,并穿过手指,再由光电二极管阵列探测器接收,最终传输至计算机,计算机通过分析所测得的光谱即可得到被测人员的血糖浓度。本实用新型利用阵列波导光栅进行分光,不需要多个光源,结构简单,测量简易,具有无创、无感染、测量时间短、结果精确、可重复使用等特点,在血糖检测方面具有一定的应用价值,也可广泛应用于其他生物化学方面、或医学方面的检测领域。

    一种基于金属平行平板的用于产生类贝塞尔光束的装置

    公开(公告)号:CN207457619U

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201721438423.7

    申请日:2017-11-01

    Abstract: 本实用新型涉及了一种基于金属平行平板的用于产生类贝塞尔光束的装置,由半导体激光器、反射镜1、反射镜2、准直镜、偏振片、孔径光阑、铜制平行平板、成像装置组成;半导体激光器出射的高斯光束经反射镜1、反射镜2反射进入准直镜,被准直的光束会通过偏振片形成仅有横电模式(TE)的光束,随后该光束经孔径光阑进入铜制平行平板迅速收敛为类贝塞尔光束,并进入成像装置获得光强分布;贝塞尔光束具有无衍射特性,因而具有亮度高、方向性好、光斑尺寸小、准直距离大的特点,可应用于光学微操纵和能量传输等领域;该装置具有损耗低、相位可调、结构简单的优点,可应用于包括隐形、全息成像、高分辨率成像等现代光学领域。

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