公开(公告)号：CN114605997A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210449428.9

申请日：2022-04-26

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 杨晓磊 ,  赵帅琦 ,  朱宁宁 ,  白功勋 ,  谢杭清 ,  徐时清

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开全无机钙钛矿CsPbBr3/BiOBr复合绿光荧光粉的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，BiOBr悬浊液的制备，将BiBr3溶液与CsOH溶液混合生成BiOBr悬浊液；步骤S2，CsPbBr3溶液的制备，取原料CsBr、PbBr2溶解于DMSO获得CsPbBr3溶液；步骤S3，CsPbBr3/BiOBr复合绿光荧光粉的制备，步骤S31，将BiOBr悬浊液与CsPbBr3溶液混合，对所得混合液进行超声分散；步骤S32，在步骤S31所得混合液中逐渐添加乙醇，同时进行超声分散，直至混合液颜色不再变化；步骤S33，对步骤S32所得混合液中的沉淀进行洗涤、真空干燥，获得CsPbBr3/BiOBr复合绿光荧光粉。本发明CsPbBr3/BiOBr复合荧光粉的制备方法中，以乙醇CH3CH2OH作为引发CsPbBr3晶粒析出的反溶剂以及荧光粉的洗涤剂，以苯乙胺C6H5CH2CH2NH2作为BiOBr和CsPbBr3晶粒的分散剂，以溴化氧铋BiOBr作为CsPbBr3晶粒的稳定剂，提升CsPbBr3的性能。

公开(公告)号：CN113105235A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110354810.7

申请日：2021-04-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 杨晓磊 ,  徐时清 ,  朱宁宁 ,  白功勋 ,  谢杭清

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  G01J1/42 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明公开了一种VO2陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法。光敏半导体材料VO2陶瓷，采用微米级粒径的VO2粉剂，在保护气氛中400℃烧结制备获得。所述的VO2陶瓷作为光敏半导体，采用金属银制作阴阳电极；探测10mW的980nm红外光时，实现安培级的高光电流，实现不低于10A/W级的高响应度。驱动电压小于临界值时响应度较低；驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；所述临界值由实验确定。本发明在进行红外探测时可实现高响应度，可在红外弱光探测、低亮度图像采集等方面获得应用。

公开(公告)号：CN113105235B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110354810.7

申请日：2021-04-01

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 杨晓磊 ,  徐时清 ,  朱宁宁 ,  白功勋 ,  谢杭清

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  G01J1/42 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明公开了一种VO2陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法。光敏半导体材料VO2陶瓷，采用微米级粒径的VO2粉剂，在保护气氛中400℃烧结制备获得。所述的VO2陶瓷作为光敏半导体，采用金属银制作阴阳电极；探测10mW的980nm红外光时，实现安培级的高光电流，实现不低于10A/W级的高响应度。驱动电压小于临界值时响应度较低；驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；所述临界值由实验确定。本发明在进行红外探测时可实现高响应度，可在红外弱光探测、低亮度图像采集等方面获得应用。