基于一维缺陷光子晶体增强太赫兹吸收谱的器件及方法

    公开(公告)号:CN118376598A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202310141168.3

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于一维缺陷光子晶体增强太赫兹吸收谱的器件及方法,属于太赫兹技术领域。本发明采用两个对称布置的布拉格反射结构和中间的缺陷腔构成法布里‑珀罗谐振腔,且缺陷腔的中间位置放置有用于承载薄膜分析物的有机聚合物衬底。太赫兹波从缺陷腔一侧的布拉格反射结构入射并通过缺陷腔之后,从缺陷腔另一侧的布拉格反射结构出射。本发明基于一维缺陷光子晶体结构在缺陷腔中产生高质量的谐振模式,在保持太赫兹光谱指纹特性测量的同时,可以实现微量分析物宽带太赫兹吸收光谱增强,通过将一系列改变缺陷腔长度所产生的吸收共振峰连接起来形成包络线,可以建立增强的吸收光谱。

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