公开(公告)号：CN106566527B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201610925712.3

申请日：2016-10-24

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 雷磊 ,  吴若桢 ,  徐时清 ,  肖珍

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/85 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于无机发光材料领域。一种用于提高上转换发光纳米晶中Tm3+掺杂浓度的方法，在制备上述纳米晶的过程中，通过加入氨水调节反应溶液的PH值并使其在9‑10范围内，使得产物中敏化离子Yb3+和激活离子Tm3+分布在壳层的二维空间中。优点是有利于提高激活离子最佳掺杂浓度，上转换发光纳米晶中Tm3+掺杂浓度提高，并且发光强度提高，为获得高效率上转换发光纳米材料提供了一个全新的思路，有望在纳米材料制备和应用领域得到广泛的使用。

公开(公告)号：CN106566527A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610925712.3

申请日：2016-10-24

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 雷磊 ,  吴若桢 ,  徐时清 ,  肖珍

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/85 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/7705 ,  C09K11/7773

Abstract: 本发明属于无机发光材料领域。一种用于提高上转换发光纳米晶中Tm3+掺杂浓度的方法，在制备上述纳米晶的过程中，通过加入氨水调节反应溶液的PH值并使其在9‑10范围内，使得产物中敏化离子Yb3+和激活离子Tm3+分布在壳层的二维空间中。优点是有利于提高激活离子最佳掺杂浓度，上转换发光纳米晶中Tm3+掺杂浓度提高，并且发光强度提高，为获得高效率上转换发光纳米材料提供了一个全新的思路，有望在纳米材料制备和应用领域得到广泛的使用。

公开(公告)号：CN106430276A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610824292.X

申请日：2016-09-14

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 雷磊 ,  吴若桢 ,  肖珍 ,  徐时清

IPC: C01F17/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K9/00

CPC classification number: C01F17/0093 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09K9/00

Abstract: 本发明涉及无机纳米材料领域。一种纳米晶，化学表达式是Eu/Tb:Gd2O2S。该纳米晶具有依赖激发波长的光学性能，有望应用于防伪标记领域。

公开(公告)号：CN106430276B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201610824292.X

申请日：2016-09-14

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 雷磊 ,  吴若桢 ,  肖珍 ,  徐时清

IPC: C01F17/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K9/00

Abstract: 本发明涉及无机纳米材料领域。一种纳米晶，化学表达式是Eu/Tb:Gd2O2S。该纳米晶具有依赖激发波长的光学性能，有望应用于防伪标记领域。