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公开(公告)号：CN119736089A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510244920.6
申请日：2025-03-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及闪烁晶体技术领域，公开了一种掺杂稀土离子的氟化物闪烁晶体及其制备方法，闪烁晶体化学通式为：NaLuF4:Gd/K/Xz@NaSc0.2Lu0.8F4；核为NaLuF4:Gd/K/Xz，壳层为NaSc0.2Lu0.8F4；其中X为Tb3+，Sm3+，Pr3+或Dy3+离子中的一种。制备核纳米晶的过程中，加入过量的钾源，使得K+离子进入基质晶格的间隙中形成缺陷态能级，提高二次电子到稀土激活离子的能量传递效率。本发明能够提高离子激发态能级的能量传递效率，共同增强稀土激活离子的闪烁性能，提高发光效率，降低无辐射弛豫几率。
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公开(公告)号：CN119776006A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510255372.7
申请日：2025-03-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及稀土余辉材料技术领域，公开了一种高性能X射线激发稀土余辉材料、制备方法及其在成像领域上的应用，其化学组成通式为：NaLuzY0.7F4@NaLu0.8BixF4：BaY/Dym@NaLuzY0.7F4。该高性能X射线激发稀土余辉材料共包括内核、中间层、外壳层三层结构，内核、外壳层与中间层具有不同的基质组分，使壳层界面处形成了晶格错配。本发明能够在X射线辐照后产生很强的余辉发光，余辉性能强，余辉持续时间长，并可用于X射线成像领域。
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公开(公告)号：CN119736089B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510244920.6
申请日：2025-03-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及闪烁晶体技术领域，公开了一种掺杂稀土离子的氟化物闪烁晶体及其制备方法，闪烁晶体化学通式为：NaLuF4:Gd/K/Xz@NaSc0.2Lu0.8F4；核为NaLuF4:Gd/K/Xz，壳层为NaSc0.2Lu0.8F4；其中X为Tb3+，Sm3+，Pr3+或Dy3+离子中的一种。制备核纳米晶的过程中，加入过量的钾源，使得K+离子进入基质晶格的间隙中形成缺陷态能级，提高二次电子到稀土激活离子的能量传递效率。本发明能够提高离子激发态能级的能量传递效率，共同增强稀土激活离子的闪烁性能，提高发光效率，降低无辐射弛豫几率。
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