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公开(公告)号：CN108827162A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811048937.0
申请日：2018-09-10
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了基于电容传感器的法布里珀罗标准具微位移测量系统的线性度比对装置和方法。本发明中支架一端固定在光学平台上，F-P标准具干涉测量系统放置在其上方，面阵器件布置在F-P标准具干涉测量系统前且处于同一光轴中用于干涉成像，应力加载系统改变应力F的大小，电容传感器探头通过检测电容的变化量，从而根据电路模块得到矩形等截面梁的形变量。用F-P标准具干涉测量系统和电容传感器得到相应的位移量，通过对二者线性度曲线的比较完成F-P标准具微位移测量系统的线性度比对。本发明具有检测精度高，可同步完成两种方法的测量，适用于高准确度微位移测量系统的线性度比对。
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公开(公告)号：CN108827162B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201811048937.0
申请日：2018-09-10
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了基于电容传感器的法布里珀罗标准具微位移测量系统的线性度比对装置和方法。本发明中支架一端固定在光学平台上，标准圆锥光束系统放置在其上方，面阵器件布置在标准圆锥光束系统前且处于同一光轴中用于干涉成像，应力加载系统改变应力F的大小，电容传感器探头通过检测电容的变化量，从而根据电路模块得到矩形等截面梁的形变量。用标准圆锥光束系统和电容传感器得到相应的位移量，通过对二者线性度曲线的比较完成F‑P标准具微位移测量系统的线性度比对。本发明具有检测精度高，可同步完成两种方法的测量，适用于高准确度微位移测量系统的线性度比对。
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公开(公告)号：CN208704659U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821477304.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本实用新型公开了基于电容传感器的F-P微位移测量系统的线性度比对装置。本实用新型中“工”形支架一端固定在光学平台上，F-P标准具干涉测量系统放置在其上方，面阵器件布置在F-P标准具干涉测量系统前且处于同一光轴中用于干涉成像，应力加载系统改变应力F的大小，电容传感器探头通过检测电容的变化量，从而根据电路模块得到矩形等截面梁的形变量。用F-P标准具干涉测量系统和电容传感器得到相应的位移量，通过对二者线性度曲线的比较完成F-P标准具微位移测量系统的线性度比对。本实用新型具有检测精度高，可同步完成两种方法的测量，适用于高准确度微位移测量系统的线性度比对。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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