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公开(公告)号：CN101488709B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910021123.2
申请日：2009-02-13
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种基于PDSOI工艺的电荷泵电路。由于PDSOI工艺中，晶体管器件为全介质隔离，没有共同的衬底或阱区，可以将其体区作为电路的设计变量，本发明正是基于这样一种构思，占空比为1∶1的时钟通过两相相互交叠时钟产生电路(11)产生两相相互交叠时钟，再通过电容的耦合作用使MOS晶体管的体区电平发生变化，从而在同一电路中实现了一阶升压电荷泵和一阶降压电荷泵的功能。
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公开(公告)号：CN101488743B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910021080.8
申请日：2009-02-10
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用PMOS阈值电压调整电路(105)调整PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压，使用NMOS阈值电压调整电路(106)调整NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压。输出电路的输出由高电平向低电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而减小下拉电路的变化率，减小地线上的地弹效应，并降低功耗和下拉延迟；输出电路的输出由低电平向高电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压增大，从而减小上拉电路的变化率，减小电压线上的地弹效应，并降低功耗和上拉延迟。
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公开(公告)号：CN101488736A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910021068.7
申请日：2009-02-06
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K3/3565
摘要： 本发明公开了一种动态体偏置施密特触发器电路，利用体偏置技术控制第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的体区电压，改变第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的阈值电压，进而形成双开关阈值的施密特触发器电路的实现。当输入信号为低电平时，在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出高开关阈值V+。同样，当输入信号为高电平电平时，在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出低开关阈值V－。
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公开(公告)号：CN101488709A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910021123.2
申请日：2009-02-13
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种基于PDSOI工艺的电荷泵电路。由于PDSOI工艺中，晶体管器件为全介质隔离，没有共同的衬底或阱区，可以将其体区作为电路的设计变量，本发明正是基于这样一种构思，占空比为1∶1的时钟通过两相相互交叠时钟产生电路(11)产生两相相互交叠时钟，再通过电容的耦合作用使MOS晶体管的体区电平发生变化，从而在同一电路中实现了一阶升压电荷泵和一阶降压电荷泵的功能。
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公开(公告)号：CN101510774B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910021353.9
申请日：2009-03-03
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K19/0185 , G05F3/24
摘要： 本发明公开了一种混合电压输出电路，包括预驱动电路、输出级、预驱动电路的一个输出端与输出级之间的电平转换器，其特征在于，所述的电平转换器包括一个1V电平产生电路、一个使用耐压为3.3V的薄栅氧MOS晶体管的0-3.3V变为1.7V-5V电平转换电路，所述输出级包括串联的第一、第二PMOS晶体管，串联的第一、第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管的栅极接0-3.3V到1.7V-5V电平转换电路的输出端，第二PMOS晶体管的栅极接1V电平产生电路的输出端；第一NMOS晶体管的栅极接第一电源，第一PMOS晶体管的源极接第二电源，第二NMOS晶体管的栅极接预驱动电路的另一个输出端，第二PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管漏极相连构成输出节点。
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公开(公告)号：CN101510774A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910021353.9
申请日：2009-03-03
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K19/0185 , G05F3/24
摘要： 本发明公开了一种混合电压输出电路，包括预驱动电路、输出级、预驱动电路的一个输出端与输出级之间的电平转换器，其特征在于，所述的电平转换器包括一个1V电平产生电路、一个使用耐压为3.3V的薄栅氧MOS晶体管的0－3.3V变为1.7V－5V电平转换电路，所述输出级包括串联的第一、第二PMOS晶体管，串联的第一、第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管的栅极接0－3.3V到1.7V－5V电平转换电路的输出端，第二PMOS晶体管的栅极接1V电平产生电路的输出端；第一NMOS晶体管的栅极接第一电源，第一PMOS晶体管的源极接第二电源，第二NMOS晶体管的栅极接预驱动电路的另一个输出端，第二PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管漏极相连构成输出节点。
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公开(公告)号：CN101488736B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910021068.7
申请日：2009-02-06
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K3/3565
摘要： 本发明公开了一种动态体偏置施密特触发器电路，利用体偏置技术控制第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的体区电压，改变第一NMOS晶体管(10)、第一PMOS晶体管(11)的阈值电压，进而形成双开关阈值的施密特触发器电路的实现。当输入信号为低电平时，在第二NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出高开关阈值V+。同样，当输入信号为高电平电平时，在第 NMOS晶体管(12)、第二PMOS晶体管(13)、NMOS体控制电路(14)与PMOS(15)控制电路作用下，施密特触发器呈现出低开关阈值V-。
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公开(公告)号：CN101488743A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910021080.8
申请日：2009-02-10
申请人： 中国航天时代电子公司第七七一研究所
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用PMOS阈值电压调整电路(105)调整PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压，使用NMOS阈值电压调整电路(106)调整NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压。输出电路的输出由高电平向低电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而减小下拉电路的变化率，减小地线上的地弹效应，并降低功耗和下拉延迟；输出电路的输出由低电平向高电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压增大，从而减小上拉电路的变化率，减小电压线上的地弹效应，并降低功耗和上拉延迟。
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