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公开(公告)号：CN119486217A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411432778.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维材料和光电神经形态器件领域，具体为一种基于二维光电导材料的光控浮栅晶体管。该光控浮栅晶体管包括光控制栅层、浮栅层、沟道层、电极和衬底层。其中，光控制栅层由具有高光电导性质的二维材料构成，一侧与浮栅层接触，另一侧接地。当施加光脉冲时，光控制栅中产生光生载流子，在器件内部电势差的作用下，实现光生电荷在浮栅层中的连续写入与擦除，通过调控光照时间和强度等获得多阻态。这一过程无需额外的电脉冲辅助，而且从紫外到远红外均具有较高的光响应，并可用于弱光条件下的突触可塑性功能模拟，因此是一种新结构光电神经突触晶体管器件，具有长程可塑性、功耗低、阻态多的特点，在神经形态计算领域具有广阔的应用前景。
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