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公开(公告)号：CN117706606A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311791694.0
申请日：2023-12-25
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： G01T1/29
摘要： 本发明公开了一种用于测量离子散射束束流密度的测流装置及方法，该测流装置包括：基座，呈圆柱形结构，且基座适于安装在旋转升降台上；测流环，为圆环形结构，若干直径不相等的测流环同心地固定在基座的正面侧，且各测流环的中心位于束线的中心，各测流环的正面位于同一平面以形成测流平面，以测试束流引起的电流信号；偏压环，设置在测流环前侧，且偏压环的中心亦位于束线的中心，偏压环用于提供负偏压，以抑制束流打到测流环上产生的二次电子。本发明中测流装置的测流信号由一系列同心设置的测流环引出，偏压信号由位于测流环前方的偏压环引入，由此可以测量离子散射束介于边沿处和中心处之间的束流密度。
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公开(公告)号：CN113655361B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110928544.4
申请日：2021-08-13
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/44
摘要： 本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；(2)对辐照后的LED芯片进行封装，检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度；(3)对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合，得到拟合曲线和/或拟合方程；根据所述拟合曲线和/或拟合方程预测LED器件的老化寿命；所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数。本发明采用快重离子辐照技术，在发光活性层只沉积能量且损伤程度可控，可在几分钟之内完成LED的老化实验，克服了传统应力老化试验耗时长、能耗高及实验过程复杂的缺点。
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公开(公告)号：CN113155868B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110354613.5
申请日：2021-03-30
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种基于圆片样品顶出技术的在线辐照蠕变样品台，包括真空腔室，真空腔室底部连接有应力加载器，真空腔室的第一侧壁上设置有第一CF100标准接口，真空腔室的第二侧壁上设置有束流管道接口，其中，应力加载承力臂的下端与应力加载器连接，上端与应力传输臂的后端连接；样品放置台与加热元件贴合设置，样品定位在样品放置台上；样品放置台支架的一端与加热元件连接，另一端与第一CF100标准接口连接；应力传输臂的前端依次穿过加热元件和样品放置台与样品相接触。本发明可使样品有效区域流强大，损伤速率高，可高效利用昂贵的加速器机时获得有用数据，快速准确的模拟航空器件的粒子辐照损伤和核材料的中子辐照损伤试验。
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公开(公告)号：CN113155868A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110354613.5
申请日：2021-03-30
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种基于圆片样品顶出技术的在线辐照蠕变样品台，包括真空腔室，真空腔室底部连接有应力加载器，真空腔室的第一侧壁上设置有第一CF100标准接口，真空腔室的第二侧壁上设置有束流管道接口，其中，应力加载承力臂的下端与应力加载器连接，上端与应力传输臂的后端连接；样品放置台与加热元件贴合设置，样品定位在样品放置台上；样品放置台支架的一端与加热元件连接，另一端与第一CF100标准接口连接；应力传输臂的前端依次穿过加热元件和样品放置台与样品相接触。本发明可使样品有效区域流强大，损伤速率高，可高效利用昂贵的加速器机时获得有用数据，快速准确的模拟航空器件的粒子辐照损伤和核材料的中子辐照损伤试验。
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公开(公告)号：CN104810073B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510115673.6
申请日：2015-03-17
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及到一种散射‑低剂量‑旋转载能离子辐照装置，主要应用于常温环境中的低剂量载能离子辐照材料实验，特别适合于大批量小样品的辐照试验。一种散射‑低剂量‑旋转载能离子辐照装置，其主要特点在于包括有步进电机支架固连于真空法兰上，步进电机支架固连有步进电机，步进电机驱动旋转靶盘，在旋转靶盘的前方设有扇形挡板，扇形挡板连接在步进电机支架上；束流探测装置支架位于扇形挡板前，其上设有束流探测装置。本发明的优点在于获得了大面积的散射束，大大提高了辐照实验的效率。
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公开(公告)号：CN117894685A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410043060.5
申请日：2024-01-11
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H01L21/425 , H01L21/428 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/06 , H01L33/02
摘要： 本发明公开了一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法。本发明一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法包括：对氧化物材料先后进行离子注入和离子辐照，其中，所述离子注入步骤中采用多个减能片进行能量梯度控制，所述离子注入/辐照后在氧化物材料内部形成包含纳米缺陷量子点的发光层；所述氧化物材料为氧化铝、氧化镁、氧化锌、二氧化硅或二氧化钛。本发明通过调节减能片的厚度，可在材料中一定深度内按照需要意向随意掺杂，形成分布均匀、发光稳定的新型量子点发光材料，也更适用于各种特殊需求的器件制备。本发明控制精度高，能通过组分控制有效提高氧化物材料的发光产额和发光效率。
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公开(公告)号：CN104835549A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510111772.7
申请日：2015-03-13
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： G21K5/00
CPC分类号： G21K5/00
摘要： 本发明涉及到一种载能离子减能辐照装置，主要应用于高能离子束辐照环境中的载能离子辐照材料实验，特别适合于核材料、半导体器件等辐照实验。一种载能离子减能辐照装置，其主要特点在于包括有在支架底盘上设有电机，电机左侧输出轴上设有左侧转动输出盘通过左侧传动皮带驱动左侧转盘带动轴，以带动左侧旋转圆盘，左侧固定圆盘与转盘支架连接。本发明的优点在于材料的表面至一定入射深度形成均匀的辐照损伤，可更加快速准确的模拟核材料的中子辐照损伤实验。
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公开(公告)号：CN117706606B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311791694.0
申请日：2023-12-25
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： G01T1/29
摘要： 本发明公开了一种用于测量离子散射束束流密度的测流装置及方法，该测流装置包括：基座，呈圆柱形结构，且基座适于安装在旋转升降台上；测流环，为圆环形结构，若干直径不相等的测流环同心地固定在基座的正面侧，且各测流环的中心位于束线的中心，各测流环的正面位于同一平面以形成测流平面，以测试束流引起的电流信号；偏压环，设置在测流环前侧，且偏压环的中心亦位于束线的中心，偏压环用于提供负偏压，以抑制束流打到测流环上产生的二次电子。本发明中测流装置的测流信号由一系列同心设置的测流环引出，偏压信号由位于测流环前方的偏压环引入，由此可以测量离子散射束介于边沿处和中心处之间的束流密度。
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公开(公告)号：CN104810073A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510115673.6
申请日：2015-03-17
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及到一种散射-低剂量-旋转载能离子辐照装置，主要应用于常温环境中的低剂量载能离子辐照材料实验，特别适合于大批量小样品的辐照试验。一种散射-低剂量-旋转载能离子辐照装置，其主要特点在于包括有步进电机支架固连于真空法兰上，步进电机支架固连有步进电机，步进电机驱动旋转靶盘，在旋转靶盘的前方设有扇形挡板，扇形挡板连接在步进电机支架上；束流探测装置支架位于扇形挡板前，其上设有束流探测装置。本发明的优点在于获得了大面积的散射束，大大提高了辐照实验的效率。
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公开(公告)号：CN113655361A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110928544.4
申请日：2021-08-13
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/44
摘要： 本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；(2)对辐照后的LED芯片进行封装，检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度；(3)对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合，得到拟合曲线和/或拟合方程；根据所述拟合曲线和/或拟合方程预测LED器件的老化寿命；所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数。本发明采用快重离子辐照技术，在发光活性层只沉积能量且损伤程度可控，可在几分钟之内完成LED的老化实验，克服了传统应力老化试验耗时长、能耗高及实验过程复杂的缺点。
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