压电传感芯片、压电传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109668952B

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN201811559970.X

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 本发明提供了一种压电传感芯片、压电传感器及其制备方法,其中,压电传感芯片包括压电材料层,以及压合设置在所述压电材料层表面的电极层;其中,所述压电材料层划分为测量区域与非测量区域,所述测量区域的厚度小于所述非测量区域的厚度。通过将压电材料层中测量区域的厚度设置为小于非测量区域的厚度,即对压电材料层中对应于测量的区域做减薄处理,当测量区域减薄后能够提高该压电材料层中测量区域的谐振频率,从而提高压电传感芯片的测量灵敏度;此外,由于压电材料层的非测量区域的厚度保持不变,能够保证该压电传感芯片的硬度,保证了压电芯片拥有高基频谐振频率特性的同时,也能保证做制备的压电芯片易夹持、易试用等特点。

    薄膜声波传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107425112B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201710508683.5

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 一种薄膜声波传感器及其制作方法,其中方法包括:在绝缘体上硅的顶层硅沉积制作电路图形;在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形;对绝缘体上硅的背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀;将绝缘体上硅的氧化层中腐蚀槽图形投影的氧化层去除。由于采用绝缘体上硅制作薄膜声波传感器,在顶层硅面沉积制作电路图形,在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形,而后对背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀,在刻蚀腐蚀槽时由于绝缘的氧化层有阻挡作用,从而能够减少在刻蚀腐蚀槽时对顶层硅的损坏,使得顶层硅的厚度可控,继而保证薄膜处硅基衬底厚度的一致性,由此提高了薄膜声波传感器的灵敏度。

    一种确定凝血时间的方法及装置

    公开(公告)号:CN107991385A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711212535.5

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种确定凝血时间的方法及装置,其中所述方法包括:在待测血样被加入凝血试剂时,实时获取Lamb波传感器输出信号的频率,其中所述待测血样放置在所述Lamb波传感器的叉指电极一侧表面;判断实时获取的相邻的两个Lamb波频率之间的差值是否小于预定值;当实时获取的相邻的两个Lamb波频率之间的差值小于预定值时,获取所经过的时间,将所经过的时间作为凝血时间。本发明创造性地采用Lamb波传感器检测凝血时间,其检测结果不易受光照等环境因素的影响,检测结果较为准确;由于Lamb波传感器较为小巧,并且无需增加辅助的检测环境维持装置(例如现有技术中用于遮挡环境光线的屏障),因此整个凝血时间检测装置也可以较为小巧,便于携带和收纳。

    一种气体分析装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106841517A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201611199417.0

    申请日:2016-12-22

    CPC classification number: G01N33/0022

    Abstract: 一种气体分析装置,用于检测气体杂质,包括:第一测量管路,入口连接传输待测气体的主管路,出口设有第一接口;第二测量管路,包括纯化器,所述纯化器入口连接所述主管路,所述纯化器出口并联设有第二接口及第三接口,仅在所述第三接口与所述纯化器出口之间连接有标准气体发生器;还包括检测装置,具有气体入口和气体出口,所述气体入口在第一位置仅连接所述第一接口以形成第一流路,在第二位置仅连接所述第二接口以形成第二流路,在第三位置仅连接所述第三接口以形成第三流路。本发明的检测装置气体入口在不同位置连接不同接口,取消了可能残留前次检测气体的管路,使得前次检测的气体不会对后续的检测造成影响,缩短了等待时间。

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