水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法

    公开(公告)号:CN102922815A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210260306.1

    申请日:2012-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法,包括有三层结构,三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料,热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料,适配层采用厚度为1-3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu,面向等离子体材料采用厚度为1-4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W,OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度,热沉中开有通孔作为冷却水通道,冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案,可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低(稳态热流<5 MW/m2)的面向等离子体区域。

    一种用于核聚变装置高热负荷部件的钨/铜复合块制作方法

    公开(公告)号:CN102501002A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110312142.8

    申请日:2011-10-17

    CPC classification number: Y02E30/128

    Abstract: 本发明公开了一种用于核聚变装置高热负荷部件的钨/铜复合块的制作方法,其主要内容是在钨单块内部开孔;钨单块开孔内表面施加一层经热等静压的0.1-1mm厚度的无氧铜内衬;无氧铜内衬在钨单块一侧突出一个0.1-1mm厚度,0.1-5mm宽度的翻边台阶,然后将翻边台阶与钨块经过热等静压结合。本发明翻边台阶可以在装配过程中起到精确定位作用,避免热沉冷却水管在钨单块间隙之间发生较大局部变形的作用,从而大大提高整体连接质量和成品率,本发明对核聚变装置高热负荷部件的成功制备具有重大的意义。

    水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法

    公开(公告)号:CN102922815B

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201210260306.1

    申请日:2012-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法,包括有三层结构,三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料,热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料,适配层采用厚度为1-3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu,面向等离子体材料采用厚度为1-4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W,OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度,热沉中开有通孔作为冷却水通道,冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案,可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低(稳态热流<5 MW/m2)的面向等离子体区域。

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