一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117924180A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311765534.9

    申请日:2023-12-20

    Inventor: 林昊炜 黄小荥

    Abstract: 本申请公开了一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用,属于荧光材料领域,所述铟基杂化金属卤化物晶体的化学式为[Ammim][InCl4L];其中,Ammim为有机阳离子,InCl4L为卤化物阴离子,L为有机配体;所述有机阳离子为1‑烯丙基‑2,3‑二甲基咪唑鎓离子;所述有机配体为4,4’‑二甲基‑2,2’‑联吡啶。本申请的铟基杂化金属卤化物晶体属于零维杂化金属卤化物,可以将紫外光转化成高强度的可见光,制备工艺简单,原料环境友好且廉价易得,所得产品纯度高,荧光性能优异,稳定性好,极易进行加工处理,是作为单组分白光发光材料的优良选择。

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