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公开(公告)号：CN104882533A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213962.X
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法，该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火，在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最终生成二硼化镁超导线材或带材。退火时电子束参数和退火时间依据不同的线材或带材前驱体厚度和退火温度要求来确定，通过精确控制电子束加速电压、束流和退火时间来完成不同直径线材或带材的退火。本发明制备的二硼化镁超导线材或带材性能稳定、晶粒细小均匀、成相均匀、转变温度高于37K。
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公开(公告)号：CN105441910B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510810145.2
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种电子束退火提高氧化锌薄膜电学性能的方法，该方法采用电子束在真空中对沉积在蓝宝石衬底上的氧化锌前驱膜进行退火。通过原子层沉积(ALD)法得到所述的氧化锌薄膜前驱膜，在十秒量级的时间内对前驱膜中的氧化锌小晶粒退火加热，使薄膜内的氧化锌重结晶。退火后生成的氧化锌薄膜的载流子浓度和载流子迁移率得以提高，载流子浓度和载流子迁移率分别高于1×1019/cm2和60cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN104882533B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510213962.X
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法，该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火，在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最终生成二硼化镁超导线材或带材。退火时电子束参数和退火时间依据不同的线材或带材前驱体厚度和退火温度要求来确定，通过精确控制电子束加速电压、束流和退火时间来完成不同直径线材或带材的退火。本发明制备的二硼化镁超导线材或带材性能稳定、晶粒细小均匀、成相均匀、转变温度高于37K。
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公开(公告)号：CN105441910A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510810145.2
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种电子束退火提高氧化锌薄膜电学性能的方法，该方法采用电子束在真空中对沉积在蓝宝石衬底上的氧化锌前驱膜进行退火。通过原子层沉积(ALD)法得到所述的氧化锌薄膜前驱膜，在十秒量级的时间内对前驱膜中的氧化锌小晶粒退火加热，使薄膜内的氧化锌重结晶。退火后生成的氧化锌薄膜的载流子浓度和载流子迁移率得以提高，载流子浓度和载流子迁移率分别高于1×1019/cm2和60cm2/Vs。
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