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公开(公告)号：CN119869219A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510087670.X
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: B01D59/26
Abstract: 本发明涉及低温吸附技术和同位素分离技术领域，尤其涉及一种低温吸附分离氦同位素系统和低温吸附分离氦同位素方法，系统包括：配气与气体回收模块，用于准备、混合氦同位素原料气并回收实验后剩余气体；静态测试单元，用于在固定条件下测试吸附剂性能；动态低温吸附单元，用于连续流条件下的氦同位素分离；低温控制模块，用于提供稳定的低温环境和精确的温度控制；其中低温控制模块的进出气管分别做热沉降，并分别连接流量控制仪。本方案用以解决现有技术中³He资源严重短缺、现有低温吸附分离氦同位素实例少的缺陷，实现为低温吸附分离氦同位素的吸附剂筛选和系统设计提供参考，推动我国³He分离提纯技术的发展，减少对进口³He的依赖。
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公开(公告)号：CN119633595A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510002964.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: B01D59/26
Abstract: 本发明涉及氦同位素低温分离领域，提供一种用于获取氦‑3的吸附组件及其使用方法。用于获取氦‑3的吸附组件包括外壳，外壳内形成有容置空间，容置空间中填充有吸附剂，外壳的侧壁形成有用于与外部冷媒进行换热的换热部；热传导件，设置于容置空间，热传导件用于与吸附剂实现换热；法兰，连接于外壳的两端以封闭容置空间。该用于获取氦‑3的吸附组件不仅提高了氦‑3的提取效率，还降低了能耗和成本；具有高效、可控、易于维护和结构紧凑等优点，为氦‑3的提取和分离提供了一种全新的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119869218A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510087662.5
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氦同位素低温吸附分离系统及方法，涉及同位素分离技术领域。氦同位素低温吸附分离系统包括吸附柱、低温控制单元、吸附剂再生单元、氦同位素气体出气控制单元、氦同位素气体进气及回收控制单元和系统吹扫置换单元，低温控制单元包括制冷机、真空罩、一级冷屏、二级冷屏、一级防辐射屏、二级防辐射屏、进气管和出气管，一级防辐射屏设置于真空罩的内部，一级冷屏设置于一级防辐射屏的开口，一级冷屏设置有安装孔。本发明提供的氦同位素低温吸附分离系统，具有在宽温区精准控温、精准控制吸附压力、复温解吸附速度快、吸附效率高、气体可回收的特点，结构简单，操作方便，对于氦同位素的分离研究具有重大意义。
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公开(公告)号：CN119079946A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411032666.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C01B23/00
Abstract: 本发明公开了一种氦‑3富集系统，包括：原料缸，具有原料腔；收集缸，具有收集腔；熵过滤器，包括：连通管、主腔体和密封件，主腔体内限定出过滤腔，过滤腔通过连通管分别与原料腔及收集腔连通，密封件填充于过滤腔内且具有适于超流体通过的超流孔隙。根据本发明的氦‑3富集系统，通过设置具有超流孔隙的密封件填充过滤腔，可以使得氦‑4超流体通过超流孔隙从原料腔流动至收集腔，使得氦‑3正常流体可以在自身的粘性作用下被阻隔在原料腔中，减少氦‑4在原料腔中的存量，使得氦‑4被提纯至收集腔中，使得氦‑3在原料腔中的含量提高，使得氦‑3被富集在原料腔中，实现氦‑3与氦‑4的分离。
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公开(公告)号：CN102040192B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910236146.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: B82B3/00 , C01B33/021 , C23F1/24
Abstract: 本发明公开了一种制备有序排列的弯折硅纳米线阵列的方法。该方法包括下述步骤：1)将刻蚀液置于耐氢氟酸腐蚀的容器中，然后将 晶向单晶硅片经过清洗，浸没于所述刻蚀液中，封闭容器；所述刻蚀液由硝酸银、氢氟酸和去离子水组成，所述刻蚀液中银离子的浓度为0.01-0.04mol/L，氢氟酸的浓度为1-5mol/L；2)将所述容器置于恒温水浴中，使所述硅片和刻蚀液反应，反应结束后，取出硅片，在所述硅片表面得到有序排列的弯折硅纳米线阵列。本发明的方法将金属离子辅助的溶液刻蚀技术和银粒子与硅片不同晶向的选择性作用有机地结合在一起，在硅片表面制备了有序排列的弯折硅纳米线阵列。该方法简便，反应条件温和，在室温下可一步实现有序排列的弯折硅纳米线阵列材料的制备。
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公开(公告)号：CN120030717A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311560585.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F17/12 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供一种低温精馏分离氦同位素的模拟计算方法和装置，其中所述方法包括：建立氦同位素低温精馏塔的数学模型，确定初始参数，其中，所述初始参数包括温度初值、相平衡常数初值以及气相流量初值；基于所述初始参数，利用三对角矩阵法求解每个组分的组分物料衡算方程组和相平衡方程组，得到每个组分在每块塔板上的液相组分浓度；根据每个组分在每块塔板上的液相组分浓度，利用所述摩尔分数加和方程组校正温度，利用所述热平衡方程组校正气相流量，最终模拟出精馏塔内氦同位素的组分浓度、温度、气液相流量以及塔顶冷凝器和塔底再沸器的热负荷。
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公开(公告)号：CN102040192A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910236146.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: B82B3/00 , C01B33/021 , C23F1/24
Abstract: 本发明公开了一种制备有序排列的弯折硅纳米线阵列的方法。该方法包括下述步骤：1)将刻蚀液置于耐氢氟酸腐蚀的容器中，然后将 晶向单晶硅片经过清洗，浸没于所述刻蚀液中，封闭容器；所述刻蚀液由硝酸银、氢氟酸和去离子水组成，所述刻蚀液中银离子的浓度为0.01-0.04mol/L，氢氟酸的浓度为1-5mol/L；2)将所述容器置于恒温水浴中，使所述硅片和刻蚀液反应，反应结束后，取出硅片，在所述硅片表面得到有序排列的弯折硅纳米线阵列。本发明的方法将金属离子辅助的溶液刻蚀技术和银粒子与硅片不同晶向的选择性作用有机地结合在一起，在硅片表面制备了有序排列的弯折硅纳米线阵列。该方法简便，反应条件温和，在室温下可一步实现有序排列的弯折硅纳米线阵列材料的制备。
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