一种蓝色二氧化钛颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN111170362A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201811338012.X

    申请日:2018-11-12

    IPC分类号: C01G23/047

    摘要: 本发明提供了一种蓝色二氧化钛颗粒的制备方法,所述方法包括以下步骤:1)去除TiO2颗粒的表面杂质;2)将步骤1)处理后的TiO2颗粒进行压片,使压片后的TiO2颗粒表面平整;3)使用脉冲宽度为皮秒或纳秒的快速激光,对步骤2)处理后的TiO2颗粒辐照3-10秒,得到表面原位生长TiO薄膜的TiO2颗粒;4)将步骤3)处理后的TiO2颗粒重新混合均匀后,重复步骤2)和步骤3),至整个TiO2颗粒蓝色均一,即得。本发明的方法制备过程清洁、无污染,而且所需的单次反应时间极短,仅为3-10秒,制备效率更高。制备的蓝色二氧化钛颗粒在自然空气中具有良好的色泽稳定性,并且表现出良好的电输运性能,光电流密度较原料TiO2提高3倍左右,电流阻抗明显减小。

    全有机热释电材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112661629B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202011548589.0

    申请日:2020-12-24

    摘要: 本发明提供全有机热释电材料,其具有以下化学式:A1‑xA’xB1‑yB’y,其中A为质子化的金刚烷胺;B为甲酸根离子;A’为选自质子化的2‑金刚烷胺、质子化的卤素取代金刚烷胺、质子化的甲基金刚烷胺、质子化的3‑氨基‑1‑金刚烷醇、质子化的金刚烷胺酮和质子化的氘代金刚烷胺中的一种或几种;B’为选自氯离子、溴离子、碘离子、亚硝酸根离子、次磷酸根离子、乙酸根离子、卤素取代甲酸根离子、卤素取代乙酸根离子、氘代甲酸根离子和氘代乙酸根离子中的一种或几种;0≤x≤0.3,0≤y≤0.3。本发明还提供制备本发明的全有机热释电材料的方法。本发明还提供本发明的全有机热释电材料在热释电器件中的应用。本发明的全有机热释电材料在室温下具有高的热释电电压优值。

    用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件

    公开(公告)号:CN103197484A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201210004093.6

    申请日:2012-01-06

    摘要: 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12),产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16),所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15=6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点,使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求,具有显著地实际应用价值。

    一种蓝色二氧化钛颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN111170362B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811338012.X

    申请日:2018-11-12

    IPC分类号: C01G23/047

    摘要: 本发明提供了一种蓝色二氧化钛颗粒的制备方法,所述方法包括以下步骤:1)去除TiO2颗粒的表面杂质;2)将步骤1)处理后的TiO2颗粒进行压片,使压片后的TiO2颗粒表面平整;3)使用脉冲宽度为皮秒或纳秒的快速激光,对步骤2)处理后的TiO2颗粒辐照3‑10秒,得到表面原位生长TiO薄膜的TiO2颗粒;4)将步骤3)处理后的TiO2颗粒重新混合均匀后,重复步骤2)和步骤3),至整个TiO2颗粒蓝色均一,即得。本发明的方法制备过程清洁、无污染,而且所需的单次反应时间极短,仅为3‑10秒,制备效率更高。制备的蓝色二氧化钛颗粒在自然空气中具有良好的色泽稳定性,并且表现出良好的电输运性能,光电流密度较原料TiO2提高3倍左右,电流阻抗明显减小。

    用于原位调控晶体外加电场的单晶衍射样品台装置

    公开(公告)号:CN118190990A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410117292.0

    申请日:2024-01-29

    IPC分类号: G01N23/20025 G01N23/20008

    摘要: 本发明提供一种用于原位调控晶体外加电场的单晶衍射样品台装置,包括:柱体结构的夹头,所述夹头的内部包括通道,所述通道的两个端口分别设置在所述夹头的顶面和侧面;所述夹头的底面插入底座的轴向孔,使所述夹头与所述底座插接;环形结构的夹环,所述夹头穿进所述夹环与所述夹环连接,且所述夹头与所述夹环连接的接触面不覆盖设置在所述夹头侧面上的端口;所述夹环的外侧面或内侧面设有两个同一径向的接线柱,所述接线柱利用接线端子连接外部电源;以及空心管状结构的晶体载具,其一端插入所述夹头顶面的端口与所述夹头插接,另一端用于承载待测样品。本发明结构简单,能够安全用于原位调控晶体外加电场的单晶衍射测试。

    全有机热释电材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112661629A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011548589.0

    申请日:2020-12-24

    摘要: 本发明提供全有机热释电材料,其具有以下化学式:A1‑xA’xB1‑yB’y,其中A为质子化的金刚烷胺;B为甲酸根离子;A’为选自质子化的2‑金刚烷胺、质子化的卤素取代金刚烷胺、质子化的甲基金刚烷胺、质子化的3‑氨基‑1‑金刚烷醇、质子化的金刚烷胺酮和质子化的氘代金刚烷胺中的一种或几种;B’为选自氯离子、溴离子、碘离子、亚硝酸根离子、次磷酸根离子、乙酸根离子、卤素取代甲酸根离子、卤素取代乙酸根离子、氘代甲酸根离子和氘代乙酸根离子中的一种或几种;0≤x≤0.3,0≤y≤0.3。本发明还提供制备本发明的全有机热释电材料的方法。本发明还提供本发明的全有机热释电材料在热释电器件中的应用。本发明的全有机热释电材料在室温下具有高的热释电电压优值。

    用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件

    公开(公告)号:CN103197484B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201210004093.6

    申请日:2012-01-06

    摘要: 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12),产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16),所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15=6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点,使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求,具有显著地实际应用价值。