公开(公告)号：CN1177802A

公开(公告)日：1998-04-01

申请号：CN96109334.X

申请日：1996-09-20

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 尚昌和 ,  王荫君

IPC分类号： G11B13/04

摘要： 本发明属于信息存储材料领域,特别是涉及一种磁光存储介质及其制作方法。本发明的目的是提供一种高性能低成本的由锰铋铝组成的磁光存储材料。本发明采用在透明基片上,按Bi,Al,Mn顺序依次在真空度好于8x10-5乇的真空条件下沉积任意层薄膜,经在100℃—550℃之间恒温或脉冲温度真空退火形成化学组成为MnBiXAlY,其中X=0.20→0.70,Y=0.05→0.15的合金薄膜材料。该材料的磁光谱在696nm和375nm附近有两个特征峰,峰值剩余极向克尔角分别高达3.49度和3.69度。

公开(公告)号：CN1079565C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN96109334.X

申请日：1996-09-20

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 尚昌和 ,  王荫君

IPC分类号： G11B13/04

摘要： 本发明属于信息存储材料领域，特别是涉及一种磁光存储介质及其制作方法。本发明的目的是提供一种高性能低成本的由锰秘铝组成的磁光存储材料。本发明采用在透明基片上，按Bi，Al，Mn倾序依次在真空度好于8×10-5乇的真空条件下沉积任意层薄膜，经在100℃-550℃之间恒温或脉冲温度真空退火形成化学组成为MnBiXAlY，其中X＝0.20→0.70，Y＝0.05→0.15的合金薄膜材料。该材料的磁光谱在696nm和375nm附近有两个特征峰，峰值剩余极向克尔角分别高达3.49度和3.69度。