二氧化硅表面改性方法、改性二氧化硅及应用

    公开(公告)号:CN117229652A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311103687.7

    申请日:2023-08-30

    摘要: 本申请提供的二氧化硅表面改性方法及改性二氧化硅,将合成的环状聚合物改性剂以喷雾形式加到真空加热预处理的二氧化硅微粉中,在高温、高速搅拌下完成化学接枝,在二氧化硅表面形成不可穿透的具有一定刚性的环形聚合物润滑层,形成具有减小热膨胀系数,降低粘度和吸湿率、提高稳定性效果的聚合物改性二氧化硅微粉。与接枝线性聚合物链相比,环形聚合物刷的物理化学特性因具有环形拓扑结构而发生了明显的改变。这种改变的根本原因是环状聚合物表面的平滑性和不可穿透层的形成。锚定在二氧化硅表面的硅氧烷两端减少了环状聚合物链的自由度,形成了一个不可穿透层,以减少二氧化硅颗粒和外界环境之间的相互作用。与小分子改性剂相比,环形聚合物链更能够完全包覆二氧化硅表面,提高了改性二氧化硅在树脂基体中的分散稳定性,降低了吸湿率,具有低摩擦特性的聚合物刷减弱了改性颗粒之间和改性颗粒与树脂的相互作用,具有较好的流动性和粘度。

    粉体改性装置及改性方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116078290A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310030287.1

    申请日:2023-01-10

    IPC分类号: B01J8/08 C09J11/04 C09J163/00

    摘要: 本申请提供的粉体改性装置及改性方法,将粉体颗粒经进料口进入所述腔体,并在气体喷头作用下在腔体内呈流动状态;将改性剂经所述改性剂喷头喷洒在呈流动状态的粉体颗粒表面;所述内层石墨在外接电流触发焦耳热条件下,以90‑110℃/s的升温速率升至目标温度,并将热量传递给所述氧化铝;所述氧化铝迅速升温至目标温度,喷淋有改性剂的粉体颗粒通过与高温的氧化铝多次瞬时碰撞接触以获得表面改性,上述粉体改性装置及改性方法,过程耗时较短,大大提高了改性生产效率,改善了二氧化硅的改性均匀性和表面改性效果。

    二氧化硅表面改性方法、改性二氧化硅及应用

    公开(公告)号:CN117229653A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311103977.1

    申请日:2023-08-30

    摘要: 本申请提供的二氧化硅表面改性方法及改性二氧化硅,将内嵌聚乙二醇分子链段的芳香类衍生物硅烷偶联剂以喷雾形式添加到真空加热预处理的二氧化硅微粉中,在高温、高速搅拌下完成化学接枝,形成具有机械性能强和粘度较小改性二氧化硅微粉,由于内嵌聚乙二醇分子链段的芳香类衍生物硅烷偶联剂对二氧化硅微粉进行表面改性,内嵌聚乙二醇分子链段,重复的烷氧链结构单元具有柔性,同时芳香氢类共轭分子,具有较大的空间结构,空间位阻较大,排斥作用力强,可大大减小颗粒之间的团聚,改善二氧化硅填料在环氧树脂中的分散,提高封装材料的力学性能和流变性能。

    芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115818652A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211477172.9

    申请日:2022-11-23

    IPC分类号: C01B33/18 C09J11/04

    摘要: 本发明涉及一种芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:混合助溶剂溶液与硅源化合物,得到溶液A;混合催化剂水溶液与所得溶液A,得到悬浊液;固液分离所得悬浊液,干燥后,得到粉体A;煅烧所得粉体A,得到所述芯片级SiO2填料。本发明所述制备方法制备得到的芯片级二氧化硅填料的纯度高、球形度高、杂质离子含量低,并且粒径分布满足倒装芯片封装的要求。并且,通过助溶剂、催化剂以及硅源化合物配比的调控,制备得到的二氧化硅的平均粒径和切断点可以得到控制,无需后续的分级、筛分和级配工艺操作。