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发明公开
一种浮栅MOSFET漏极电流在线测量系统及方法审中-实审

公开(公告)号：CN119805151A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510225225.5

申请日：2025-02-27

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孙静 , 黄文熠 , 阚永葭 , 李豫东 , 文林 , 陈亚文 , 刘海涛

IPC: G01R31/26 , G01R19/25

Abstract: 本发明提供一种浮栅MOSFET漏极电流在线测量系统及方法，主要解决现有的测试设备结构复杂、测试成本高、操作繁琐等技术问题。本发明的在线测量系统包括依次连接的信号采集单元、参数配置单元、主控单元及PC上位机；信号采集单元包括多个测量通道，各个测量通道分别与待测浮栅MOSFET各个端口连接；参数配置单元通过测量通道对待测浮栅MOSFET输出激励电压并采集相应的电流信号；主控单元通过参数配置单元对各测量通道输出激励电压的大小及时间进行控制，并将参数配置单元传输的电流信号发送至PC上位机；PC上位机对主控单元发出相应的控制指令，并输出测量结果。本发明具有成本低、便携、方便操作等特点。

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