公开(公告)号：CN103208341B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310125877.9

申请日：2013-04-12

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 范艳伟 ,  周步康 ,  陈朝阳 ,  王军华

IPC: H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K。

公开(公告)号：CN103208341A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310125877.9

申请日：2013-04-12

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 范艳伟 ,  周步康 ,  陈朝阳 ,  王军华

IPC: H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K。