公开(公告)号：CN102270659A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110229091.2

申请日：2011-08-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  袁婷婷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为变温栅指的各个栅指之间的距离为Lgg，OUT，i＝Lgg，IN+a(4i3+3i2+i)。在上述基础上对GaN HEMTs的各个栅指位置进行设计，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，即GaN HEMTs的沟道温度降低，提高了GaN HEMTs的输出功率，延长了GaN HEMTs的工作寿命。

公开(公告)号：CN102313613B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110223026.9

申请日：2011-08-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

公开(公告)号：CN102435343A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110259249.0

申请日：2011-09-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

公开(公告)号：CN102435343B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110259249.0

申请日：2011-09-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

公开(公告)号：CN102270659B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110229091.2

申请日：2011-08-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  袁婷婷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为变温栅指的各个栅指之间的距离为Lgg，OUT，i＝Lgg，IN+a(4i3+3i2+i)。在上述基础上对GaN HEMTs的各个栅指位置进行设计，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，即GaN HEMTs的沟道温度降低，提高了GaN HEMTs的输出功率，延长了GaN HEMTs的工作寿命。

公开(公告)号：CN102313613A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110223026.9

申请日：2011-08-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。