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公开(公告)号:CN106145951A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201510164821.3
申请日:2015-04-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种多孔二维过渡金属碳化物,通过在MXenes材料中设置孔洞,有利于提高MXenes材料的比表面积,以及MXenes材料的吸附和传输粒子的能力,在电子学、储能等领域具有良好的应用前景。另外,本发明采用在M位掺杂Cr元素的MAX相固溶体材料作为前驱体,通过选择性刻蚀,在Al原子从MAX相固溶体中刻蚀脱出形成MXenes片层结构的同时将至少部分Cr原子也从MAX相固溶体中刻蚀脱出的方法形成孔洞结构,该方法简单易行,一步制得具有孔洞结构的MXenes片层材料,并且孔洞的数目与孔径能够通过刻蚀时间、Cr元素的掺杂量而调控。
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公开(公告)号:CN106145951B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201510164821.3
申请日:2015-04-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种多孔二维过渡金属碳化物,通过在MXenes材料中设置孔洞,有利于提高MXenes材料的比表面积,以及MXenes材料的吸附和传输粒子的能力,在电子学、储能等领域具有良好的应用前景。另外,本发明采用在M位掺杂Cr元素的MAX相固溶体材料作为前驱体,通过选择性刻蚀,在Al原子从MAX相固溶体中刻蚀脱出形成MXenes片层结构的同时将至少部分Cr原子也从MAX相固溶体中刻蚀脱出的方法形成孔洞结构,该方法简单易行,一步制得具有孔洞结构的MXenes片层材料,并且孔洞的数目与孔径能够通过刻蚀时间、Cr元素的掺杂量而调控。
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公开(公告)号:CN104762660A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201510172056.X
申请日:2015-04-13
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有二维片层结构的碳化物材料,由过渡金属元素与碳元素组成,并且其中过渡金属元素与碳元素的原子比小于或等于1。本发明选用三元或三元以上的Zr/Hf/Y-Al/Si/Ge-C层状陶瓷材料作为前驱体,通过选择性腐蚀,将其中价键较弱的Al-C片层进行腐蚀剥离,从而制得二维片层结构的过渡金属碳化物。该方法简单易行,具有二维片层结构碳化物材料的组成元素、元素计量比、形貌及结构均可设计和调控的优点。该二维片层结构碳化物材料在电化学储能用电极材料、功能高分子导电填料、传感器、催化剂、透明导体等领域有较好的应用。
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