公开(公告)号：CN110204730A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910430199.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 裴学良 ,  陈江善 ,  何流 ,  黄庆 ,  黄政仁 ,  柴之芳

IPC: C08G77/60 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明公开了一种含高活性可交联基团的聚碳硅烷的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、卤化试剂和溶剂混合后进行卤化反应，得到部分卤化的聚碳硅烷；再将得到的聚碳硅烷、酸吸收剂与含高活性可交联基团的化合物混合后搅拌反应，再经过分离处理得到所述含高活性可交联基团的聚碳硅烷。本发明还公开了上述制备方法制得的含高活性可交联基团的聚碳硅烷。该制备方法的反应温度低、时间短、副反应少，后续通过离心、浓缩和提纯等即可获得高纯度的产物。本发明还通过控制卤化程度调控交联基团引入量，提高了制得的聚碳硅烷的热固化或光固化速率，并能使产物具有较高的陶瓷产率。

公开(公告)号：CN110204730B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201910430199.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 裴学良 ,  陈江善 ,  何流 ,  黄庆 ,  黄政仁 ,  柴之芳

IPC: C08G77/60 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明公开了一种含高活性可交联基团的聚碳硅烷的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、卤化试剂和溶剂混合后进行卤化反应，得到部分卤化的聚碳硅烷；再将得到的聚碳硅烷、酸吸收剂与含高活性可交联基团的化合物混合后搅拌反应，再经过分离处理得到所述含高活性可交联基团的聚碳硅烷。本发明还公开了上述制备方法制得的含高活性可交联基团的聚碳硅烷。该制备方法的反应温度低、时间短、副反应少，后续通过离心、浓缩和提纯等即可获得高纯度的产物。本发明还通过控制卤化程度调控交联基团引入量，提高了制得的聚碳硅烷的热固化或光固化速率，并能使产物具有较高的陶瓷产率。