基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116219432B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202310255244.3

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将碳纳米管与金属材料进行原位混合,获得高速激光熔覆材料;以及,采用高速激光熔覆技术将所述高速激光熔覆材料熔覆于基体表面,获得电磁屏蔽涂层;其中,所述高速激光熔覆技术中采用的熔覆线速度为3‑8m/min,单道横移为0.2~1mm。本发明首次将高速激光熔覆技术引入电磁屏蔽涂层制备领域,原位合成碳纳米管/金属的电磁屏蔽涂层,且该涂层膜基结合强度高,电磁屏蔽性能优异。

    基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116219432A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310255244.3

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将碳纳米管与金属材料进行原位混合,获得高速激光熔覆材料;以及,采用高速激光熔覆技术将所述高速激光熔覆材料熔覆于基体表面,获得电磁屏蔽涂层;其中,所述高速激光熔覆技术中采用的熔覆线速度为3‑8m/min,单道横移为0.2~1mm。本发明首次将高速激光熔覆技术引入电磁屏蔽涂层制备领域,原位合成碳纳米管/金属的电磁屏蔽涂层,且该涂层膜基结合强度高,电磁屏蔽性能优异。

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