公开(公告)号：CN116284907A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310269833.7

申请日：2023-03-13

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张涛 ,  王科 ,  杨浩永

IPC: C08J5/18 ,  C08G12/30 ,  C08G16/02 ,  C08L61/26 ,  C08L21/00

Abstract: 本发明公开了一种sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：对基底表面进行氨基化处理，制得氨基化基底；以及，将所述氨基化基底与有机单体、催化剂、有机溶剂形成混合反应体系，之后对所述混合反应体系加热发生希夫碱反应、羟醛聚合反应，从而获得纳米级的sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜。本发明首次利用自组装单分子层辅助表面引发原位合成sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜，同时该方法适用于在任意基底上原位、快速且大面积制备均匀的纳米级尺寸薄膜，制备的二维聚合物薄膜由于其高度有序的结构、高比表面积、高化学稳定性以及出色的面内共轭，可广泛用于恶劣工作环境与吸附分离、能量转换或光电器件等领域。

公开(公告)号：CN117844007A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311560276.0

申请日：2023-11-22

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张涛 ,  张武鑫 ,  伍大恒 ,  王科

IPC: C08J5/18 ,  C08G83/00 ,  C08L87/00

Abstract: 本发明属于有机二维材料技术领域，具体涉及一种sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法。所述sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)对基底表面进行预处理，在预处理后的基底上沉积引发剂，使用聚合单体、配位剂和溶剂的混合液在预处理的金属与沉积有引发剂的基底之间进行聚合反应得到聚合物刷层；(2)将表面有聚合物刷层的基底加入到有机单体、催化剂和有机溶剂混合得到的预混液中，通入惰性气体后高温反应，在基底表面得到sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜。利用厚度可调控的聚合物刷层辅助，在基底表面原位合成高晶态、高厚度、高性能的sp2‑碳共轭二维聚合物薄膜。