公开(公告)号：CN108554745A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810260992.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 王永欣 ,  李晨 ,  郭惠霞 ,  曾志翔 ,  薛群基

IPC: B05D1/00 ,  C08F2/52 ,  C08F120/22

Abstract: 本发明公开一种DLC膜层的表面处理方法，采用等离子体聚合沉积技术，将气化的丙烯酸酯类单体通入等离子体聚合反应腔内，在辉光放电作用下使单体化学键断裂形成活性基团在DLC膜层表面发生等离子体聚合反应，在DLC膜层表面，包括在其中的微孔内聚合并沉积形成一层具有耐腐蚀性的微米或者纳米级的封孔薄膜，从而弥补了DLC膜层的缺陷，提高了DLC膜层的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN108554745B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201810260992.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 王永欣 ,  李晨 ,  郭惠霞 ,  曾志翔 ,  薛群基

IPC: B05D1/00 ,  C08F2/52 ,  C08F120/22

Abstract: 本发明公开一种DLC膜层的表面处理方法，采用等离子体聚合沉积技术，将气化的丙烯酸酯类单体通入等离子体聚合反应腔内，在辉光放电作用下使单体化学键断裂形成活性基团在DLC膜层表面发生等离子体聚合反应，在DLC膜层表面，包括在其中的微孔内聚合并沉积形成一层具有耐腐蚀性的微米或者纳米级的封孔薄膜，从而弥补了DLC膜层的缺陷，提高了DLC膜层的耐腐蚀性。