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公开(公告)号:CN119212534A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202310771503.8
申请日:2023-06-27
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种提升碲化银室温热电优值的方法,属于热电材料技术领域。在碲化银作为热电材料使用时,对其施加与热流方向垂直的磁场;所述碲化银其组成为Ag2+xTe,其中0
公开(公告)号:CN119212534A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202310771503.8
申请日:2023-06-27
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种提升碲化银室温热电优值的方法,属于热电材料技术领域。在碲化银作为热电材料使用时,对其施加与热流方向垂直的磁场;所述碲化银其组成为Ag2+xTe,其中0