-
公开(公告)号：CN104134546A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310158980.3
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体，非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触，半导体表面无或者有以助催化剂修饰，组成光电化学光电极。首先，制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq，电阻率0.16mΩ/cm，优于商品化FTO和ITO。其次，沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体，于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基底能在惰性或氢化物气氛高温处理（如氨气中至900℃）后保持导电性，适合于高温制备非全氧化物半导体光电极过程，整个光电极制备过程易于工业化。该光电极可能用于光电化学利用太阳能分解水和制氢气、转化二氧化碳等用途。
-
公开(公告)号：CN104134546B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201310158980.3
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体，非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触，半导体表面无或者有以助催化剂修饰，组成光电化学光电极。首先，制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq，电阻率0.16mΩ/cm，优于商品化FTO和ITO。其次，沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体，于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基底能在惰性或氢化物气氛高温处理（如氨气中至900℃）后保持导电性，适合于高温制备非全氧化物半导体光电极过程，整个光电极制备过程易于工业化。该光电极可能用于光电化学利用太阳能分解水和制氢气、转化二氧化碳等用途。
-
Search Results
2
records
(took 0.024 seconds)
