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发明公开
一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用审中-公开

公开(公告)号：CN119968088A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510165144.0

申请日：2025-02-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王振涵 , 韩朝阳 , 蒋琦 , 游经碧

IPC: H10K85/50 , H10K71/12 , H10K71/30 , H10K71/40 , H10K30/50

Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。钙钛矿薄膜为硫氰酸铷掺杂的钙钛矿，所述钙钛矿含有铅元素，所述硫氰酸铷与所述铅元素的摩尔比小于3%。本发明通过将硫氰酸铷引入到钙钛矿材料中，从而调控钙钛矿结晶，提高宽带隙钙钛矿晶体质量，并且铷离子掺入钙钛矿晶格，使钙钛矿吸光层中缺陷离子迁移的活化能显著升高，抑制钙钛矿材料中的缺陷离子的移动，从而得到结晶质量较高宽带隙钙钛矿吸光层。

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