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公开(公告)号：CN111276867B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201811485068.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。
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公开(公告)号：CN110797751A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911093961.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种InAs/InSb复合型量子点及其生长方法，该生长方法包括对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；在第一衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。本发明采用新型的外延方式生长InAs/InSb复合型量子点，有效规避了InAsSb量子点外延时带来的表面活性剂效应，获得了良好的量子点形貌，同时也实现了量子点的能级改善，便于实现获得发光质量良好的长波长量子点。
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公开(公告)号：CN109217109B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811000562.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN111276867A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811485068.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。
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公开(公告)号：CN109217109A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811000562.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
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