公开(公告)号：CN100589012C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710175972.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 梁志梅 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: G02F1/017 ,  G02F1/015 ,  G02F1/01

Abstract: 一种量子点光调制器有源区结构，包括：一n型衬底；一n型缓冲层生长于n型衬底之上，该n型缓冲层的生长可有效防止衬底缺陷向外延层扩展；一第一未掺杂层生长于n型缓冲层之上，提供了外加电压的作用空间；一量子点层生长于第一未掺杂层上面；一第二未掺杂层生长于量子点层之上；一势垒层生长于第二未掺杂层之上；一第三未掺杂层生长于势垒层之上，提供了外加电压的作用空间；一p型掺杂层，该p型掺杂层生长于第三未掺杂层之上，是这一结构的表面层，可用于引出正面电极。

公开(公告)号：CN101414063A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200710175972.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 梁志梅 ,  金鹏 ,  王占国

IPC: G02F1/017 ,  G02F1/015 ,  G02F1/01

Abstract: 一种量子点光调制器有源区结构，包括：一n型衬底；一n型缓冲层生长于n型衬底之上，该n型缓冲层的生长可有效防止衬底缺陷向外延层扩展；一第一未掺杂层生长于n型缓冲层之上，提供了外加电压的作用空间；一量子点层生长于第一未掺杂层上面；一第二未掺杂层生长于量子点层之上；一势垒层生长于第二未掺杂层之上；一第三未掺杂层生长于势垒层之上，提供了外加电压的作用空间；一p型掺杂层，该p型掺杂层生长于第三未掺杂层之上，是这一结构的表面层，可用于引出正面电极。