公开(公告)号：CN110273176A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810218065.1

申请日：2018-03-16

申请人： 中国科学院化学研究所 ,  中国科学院大学

发明人： 武斌 ,  张家宁 ,  杨贺 ,  刘云圻

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02 ,  C30B33/00 ,  C22F1/08

摘要： 本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均为先抛光，后退火。上述方法中，若干次至少为3次；具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔的晶面均为(111)面，且单晶Cu(111)的面积仅仅受限于制备容器的大小，从而实现了单晶Cu的大面积制备，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN116135914A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202111367216.8

申请日：2021-11-18

申请人： 中国科学院化学研究所

发明人： 武斌 ,  姚文乾 ,  杨贺 ,  刘云圻

IPC分类号： C08J5/18 ,  C08L65/00 ,  B05D1/00

摘要： 本发明提供一种基于脱溴反应的化学气相沉积制备晶圆级有机分子薄膜的方法。以含溴官能团有机小分子作为前驱体，利用化学气相沉积法，在铜的催化作用下使分子脱溴发生聚合，形成二维周期性结构的大面积连续的二维层状薄膜，即大面积、连续的、有机分子薄膜。本发明针对一类难溶的有机小分子，可制备大面积的薄膜，且厚度为纳米级可控，而现有有机薄膜制备方法多为旋涂法和溶液法，旋涂法要求具有一定溶解性，溶液法对薄膜的厚度可控性有限。

公开(公告)号：CN110273176B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810218065.1

申请日：2018-03-16

申请人： 中国科学院化学研究所 ,  中国科学院大学

发明人： 武斌 ,  张家宁 ,  杨贺 ,  刘云圻

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02 ,  C30B33/00 ,  C22F1/08

摘要： 本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤：将多晶铜箔进行若干次处理，得到所述单晶Cu(111)；每次处理均为先抛光，后退火。上述方法中，若干次至少为3次；具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔的晶面均为(111)面，且单晶Cu(111)的面积仅仅受限于制备容器的大小，从而实现了单晶Cu的大面积制备，具有重要的应用价值。