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公开(公告)号:CN115368134B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202211038839.5
申请日:2022-08-29
Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种抗熔盐腐蚀的高熵氧化物陶瓷材料,该高熵氧化物陶瓷材料呈致密块体,其在Na2SO4+V2O5的混合熔盐中,陶瓷表面经1000℃腐蚀10h的腐蚀深度<30μm。同时,本发明还公开了该高熵氧化物陶瓷材料的制备方法。本发明高熵陶瓷材料在不同质量混合后的硫酸钠(Na2SO4)和五氧化二钒(V2O5)腐蚀熔盐体系中,经高温腐蚀后,其陶瓷表面腐蚀深度未超过30μm,更未出现腐蚀层剥落的现象,从而表现出更好的抗熔盐腐蚀能力。
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公开(公告)号:CN115368134A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211038839.5
申请日:2022-08-29
Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种抗熔盐腐蚀的高熵氧化物陶瓷材料,该高熵氧化物陶瓷材料呈致密块体,其在Na2SO4+V2O5的混合熔盐中,陶瓷表面经1000℃腐蚀10h的腐蚀深度<30μm。同时,本发明还公开了该高熵氧化物陶瓷材料的制备方法。本发明高熵陶瓷材料在不同质量混合后的硫酸钠(Na2SO4)和五氧化二钒(V2O5)腐蚀熔盐体系中,经高温腐蚀后,其陶瓷表面腐蚀深度未超过30μm,更未出现腐蚀层剥落的现象,从而表现出更好的抗熔盐腐蚀能力。
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公开(公告)号:CN115403380A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211038840.8
申请日:2022-08-29
Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种优异耐磨损萤石结构高熵陶瓷材料的应用,其特征在于:在室温大气条件下,该高熵陶瓷材料与摩擦副进行摩擦后摩擦系数在0.25~0.55之间,磨损率在7.8×10‑8mm3/N·m~5.8×10‑5mm3/N·m之间。本发明制备的萤石结构高熵陶瓷不但致密度高,而且具有高的硬度,且具有组分可调空间,从而表现出较强的实用性和价值,且制作流程简单可行、易于实现规模化的生产,同时获得了优异的摩擦学性能,从真正意义上实现了新型高熵氧化物陶瓷材料功能化的发展需求。
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