一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置

    公开(公告)号:CN104615407B

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201510026059.2

    申请日:2015-01-19

    Abstract: 本发明公开一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置,利用闪存(主要是Nand Flash芯片)不同生产工艺所确定的隧道氧化层厚度,存储单元的物理组织结构以及对存储单元编程擦除操作时产生的随机电子噪声,改变对特定的存储单元进行编程或擦除操作时的参数,利用部分编程法、部分擦除法、或重复编程法提取数据,对数据进行处理后,作为随机数输出。经实验验证所提取的随机数,均具有满熵的性质。本发明不需要专门的电路设计即可产生满足一定要求的随机数,能够降低随机数发生器的使用条件及成本。

    一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置

    公开(公告)号:CN104615407A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510026059.2

    申请日:2015-01-19

    Abstract: 本发明公开一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置,利用闪存(主要是Nand Flash芯片)不同生产工艺所确定的隧道氧化层厚度,存储单元的物理组织结构以及对存储单元编程擦除操作时产生的随机电子噪声,改变对特定的存储单元进行编程或擦除操作时的参数,利用部分编程法、部分擦除法、或重复编程法提取数据,对数据进行处理后,作为随机数输出。经实验验证所提取的随机数,均具有满熵的性质。本发明不需要专门的电路设计即可产生满足一定要求的随机数,能够降低随机数发生器的使用条件及成本。

    基于Nand Flash闪存的安全存储方法及系统

    公开(公告)号:CN105975878B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201610370911.2

    申请日:2016-05-30

    Abstract: 本发明公开一种基于Nand Flash闪存的安全存储方法及系统,基于机密数据在闪存中的物理存储位置不断变化的思想,保证机密数据存储的安全性。初始化阶段,在闪存转换层中设置触发器来控制机密数据的位置移动机制;在闪存设备工作时,启动触发器,闪存转换层监听上层文件系统的读、写等操作命令。当满足触发机密数据移动机制的条件时,启动机密数据移动操作。机密数据移动阶段,重新选择合适的安全存储区存放机密数据,对安全块进行垃圾回收后将机密数据转移到安全块。机密数据移动完成后,伪装安全块的状态,避免暴露机密数据的存放位置。本方法增加了机密数据存储位置的不确定性和不可预见性,实现了机密数据在闪存设备中的安全存储。

    基于NandFlash闪存的安全存储方法及系统

    公开(公告)号:CN105975878A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610370911.2

    申请日:2016-05-30

    CPC classification number: G06F21/78

    Abstract: 本发明公开一种基于Nand Flash闪存的安全存储方法及系统,基于机密数据在闪存中的物理存储位置不断变化的思想,保证机密数据存储的安全性。初始化阶段,在闪存转换层中设置触发器来控制机密数据的位置移动机制;在闪存设备工作时,启动触发器,闪存转换层监听上层文件系统的读、写等操作命令。当满足触发机密数据移动机制的条件时,启动机密数据移动操作。机密数据移动阶段,重新选择合适的安全存储区存放机密数据,对安全块进行垃圾回收后将机密数据转移到安全块。机密数据移动完成后,伪装安全块的状态,避免暴露机密数据的存放位置。本方法增加了机密数据存储位置的不确定性和不可预见性,实现了机密数据在闪存设备中的安全存储。

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