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公开(公告)号：CN104556701B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310504591.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种含氧化镧的高频低损耗微晶玻璃及其制备方法，所述微晶玻璃的各组分及其质量百分含量为：MgO：6～9%；Al2O3：19～27%；SiO2：26～37%；TiO2：15～21%；CeO2：0～7%；La2O3：7～32%。本发明采用La2O3取代CeO2，La与 Ce在周期表中处于相邻位置，具有很大相似性，同时La3+离子为无色且不发生变价，因此，本发明能在保证玻璃的形成能力和性能不受较大影响的情况下改善原始玻璃的透明性，易于筛选熔制过程中出现缺陷的次品，提高成批率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103803956B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310743499.0
申请日：2013-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用。所述材料是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B2O3、SiO2和Al2O3，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。该材料的制备是首先按所述玻璃材料的组成进行配料，制得玻璃粉体，然后将玻璃粉体与陶瓷粉体按比例混合均匀，制得低温共烧陶瓷粉体；再将所得低温共烧陶瓷粉体在850～900℃下进行烧结。实验证明，本发明所提供的低温共烧陶瓷材料，具有高频低介电损耗性能，可满足贴片式元器件的应用要求。
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公开(公告)号：CN103803956A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310743499.0
申请日：2013-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用。所述材料是由20～50wt%的玻璃材料与50～80wt%的陶瓷材料复合而成，所述玻璃材料的组成中至少包含CaO、B2O3、SiO2和Al2O3，所述陶瓷材料的组成为堇青石、硅酸锌、氧化铝中的至少一种。该材料的制备是首先按所述玻璃材料的组成进行配料，制得玻璃粉体，然后将玻璃粉体与陶瓷粉体按比例混合均匀，制得低温共烧陶瓷粉体；再将所得低温共烧陶瓷粉体在850～900℃下进行烧结。实验证明，本发明所提供的低温共烧陶瓷材料，具有高频低介电损耗性能，可满足贴片式元器件的应用要求。
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公开(公告)号：CN102503136A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110359156.5
申请日：2011-11-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C03C8/24
Abstract: 本发明涉及中低温固体氧化物燃料电池用封接材料及其制备方法，按摩尔百分含量计，所述封接材料包括28～38mol％SiO2、5～15mol％B2O3、30～40mol％BaO、0～10mol％Al2O3、0～5mol％ZrO2、0～16mol％CaO、0～15mol％ZnO、0～0.5％mol NiO、0～0.5mol％Cr2O3及0～0.5mol％Co2O3。本发明的封接材料适用于中低温固体氧化物燃料电池，其在中低温固体氧化物燃料电池的工作温度下，在长期热处理中热膨胀系数变化小，在电堆多次热循环和长期运行中都非常稳定。
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公开(公告)号：CN102386345A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110358820.4
申请日：2011-11-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及中低温固体氧化物燃料电池用密封垫及其制备方法和应用，所述密封垫包括封接用玻璃粉、分散剂、增塑剂、粘结剂和溶剂；其特征在于，所述封接用玻璃粉按摩尔百分含量计包括28～38mol％SiO2、5～15mol％B2O3、30～40mol％BaO、0～10mol％Al2O3、0～5mol％ZrO2、0～16mol％CaO、0～15mol％ZnO、0～0.5％mol NiO、0～0.5mol％Cr2O3及0～0.5mol％Co2O3。本发明的密封垫在中低温固体氧化物燃料电池的工作温度下，在长期热处理中热膨胀系数变化小，在电堆多次热循环和长期运行中都非常稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101293738A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810037293.5
申请日：2008-05-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C03C3/32
Abstract: 本发明涉及一种透红外硫卤玻璃材料及其成型制备。该硫卤玻璃的摩尔组成为：aGeSe2－bSb2Se3－cMX(M＝Cs、Rb或K；X＝Cl、Br或I)，其中a+b+c＝1，c≠0，0.40≤a＜1，0＜b≤0.55。本发明的玻璃组成具有良好的成玻璃性能，较好的透中远红外性能，可在1～14μm具有良好透过性，覆盖三个大气窗口。
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公开(公告)号：CN1821134A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610024707.1
申请日：2006-03-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种全波段光窗玻璃材料及制备方法，属于光窗玻璃材料领域。光窗玻璃材料的组成为：(100－x－y)GeSe2－xGa2Se3－yCsI(Br)，其中，5≤x≤30，15≤y≤45；它是以高纯锗、镓、硒和碘化铯(或溴化铯)为主要成分经真空熔制合成的硫系卤化物玻璃。本发明合成的硫系卤化物玻璃的转变温度Tg介于290～340℃之间；显微硬度Hv介于100～160kg/mm之间，2.5mm厚经双面抛光的样品在0.6－14μm全波段范围内具有较高的透过率(≥50％)，涵盖了可见光及大气的三个红外窗口，可应用于可见光到远红外14μm全波段光传输领域。
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公开(公告)号：CN1458101A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03129113.9
申请日：2003-06-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: C03C10/0045
Abstract: 本发明涉及一种镁系微波介质材料及其制造方法，属于MgO－Al2O3－SiO2系统微晶玻璃领域。其具体组成范围(重量比)为MgO(7～9)，Al2O3(24～29)，SiO2(33～46)，CeO2(16～20)，TiO2(7～18)。玻璃熔制温度为1480～1520℃保温3小时，退火温度为640℃保温1小时，第一段晶化温度为770～850℃，第二段晶化温度为1200～1250℃，经上述工艺制得的微晶玻璃在1GHz以上频率下，介电常数为7～11，介电损耗低于6×10－4，是一类实用的高频低损耗微波介质材料。
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公开(公告)号：CN101148319A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710045988.3
申请日：2007-09-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种硫卤微晶玻璃红外光学元件的热压成型制备方法，其特征在于：Ge－Ga－Se－CsI红外透射硫卤玻璃被直接采用热压成型的方法，在成型的过程中，玻璃内形成大量分布均匀的微晶，从而获得机械性能较好的硫卤微晶玻璃红外光学元件。此方法可适用于硫系和硫卤微晶玻璃红外光学元件的制备，有利于产品质量的控制和降低成本。
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公开(公告)号：CN103771711B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310719709.2
申请日：2013-12-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C03C10/00
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃，其由下列组分组成（wt%）：11～16%的MgO、19～22%的Al2O3、26～31%的SiO2、15～21%的TiO2和17～23%的La2O3。本发明通过增加组分中MgO的含量，提高微晶玻璃中低损耗相的含量，使得微晶玻璃在10GHz左右的频率下的介电常数可保持在8.6～10，品质因数则高达28000～32600GHz，介电损耗为3.6×10-4～4×10-4。
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