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发明公开
一种铋氧硒纳米片的制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN120039833A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510325182.8

申请日：2025-03-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王振 , 胡伟达 , 段世杰 , 赵天歌 , 许航瑀 , 康乾龙 , 姚碧霂 , 王进

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明属于铋氧硒纳米片技术领域，具体涉及一种Bi3O2.5Se2纳米片的制备方法。本发明采用化学气相沉积的方法，以Bi2Se3和含有结晶水的KI分别作为前驱体和供氧源形成混合物，将基底置于所述混合物的上方，在通入载气的条件下加热所述混合物进行反应，在所述基底表面生长得到所述Bi3O2.5Se2纳米片。本发明提供的制备方法显著提高Bi3O2.5Se2纳米片的均匀性和结晶质量，且有效降低晶畴合并的界面的粗糙度，改善晶畴合并的界面的质量；同时，本发明生长温度低，减少能耗和设备损耗，更适宜工业化应用。

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