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公开(公告)号:CN119390062A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202411352743.5
申请日:2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的转移方法,包括以下步骤:提供一待转移结构,待转移结构包括金属基底以及形成于金属基底上的石墨烯层;提供一功能衬底,将待转移结构放置于功能衬底上,石墨烯层与功能衬底相接触;于预设真空度的环境中对金属基底进行电流热熔处理,以去除金属基底并使石墨烯层附着于功能衬底上;依次对附着有石墨烯层的功能衬底进行清洁处理及退火处理。本发明的石墨烯的转移方法最大程度减少了石墨烯层与目标衬底界面的气泡及缺陷的引入的同时,使得石墨烯层与功能衬底之间贴合更加紧密,提升了后续形成的器件良率。