-
公开(公告)号：CN116752096A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310561164.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nm KrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。
Search Results
1
records
(took 0.066 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
