公开(公告)号：CN1649108A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410093247.9

申请日：2004-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  张雄 ,  齐鸣

IPC: H01L21/318 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明涉及一种新型的抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法，其特征在于绝缘Si3Nx薄膜作为失效保护层材料及其抑制硫钝化失效的机制和在硫钝化层上淀积绝缘Si3Nx薄膜保护层的技术。本发明是在研究硫钝化失效的物理化学过程基础上在钝化的表面低温PECVD淀积Si3Nx有效地解决了硫钝化退化。本发明适用于提高化合物半导体器件性能。

公开(公告)号：CN1649104A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410093249.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  张雄 ,  齐鸣 ,  张永刚

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种新型的锑化物及其器件的表面硫钝化方法。包括钝化前的表面预处理与表面硫钝化方法。本发明的锑化物表面处理方法克服了常规表面腐蚀形成的高低不平的粗糙表面与界面形貌，获得了致密的平整光滑表面和界面形貌，保证后续腐蚀速率和器件工艺可控；所发明的锑化物中性硫化氨钝化技术比传统的碱性硫化氨钝化技术有更好的钝化效果，有效地提高了探测器的响应度和探测率。所提出的锑化物硫钝化过程的物理化学机制有力地阐明了本发明的依据并指导了锑化物硫钝化技术的发展。本发明提供的表面钝化的方法适用于提高锑化物表面平整度和器件性能。