公开(公告)号：CN111725394B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201910842365.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吕飞 ,  叶力

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111725394A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910842365.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吕飞 ,  叶力

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。