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公开(公告)号：CN108551716A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810735642.4
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种等离子体生成设备，包括阳极金属网、电子发射装置、密度梯度调节金属网、磁场生成装置和第一电源。电子发射装置向阳极金属网的方向发射电子，磁场生成装置在两个金属网的轴向施加磁场以约束等离子体。通过调节第一电源的电压值调整等离子体电位；通过密度梯度调节金属网将通过其的等离子体分为两部分，这两部分的等离子体有不一样的电子密度，因此通过密度梯度调节金属网可以调整等离子体的电子密度的径向分布。从而实现了电位均匀分布、电子密度梯度可控的等离子体的生成，进而可以在实验室条件下研究电子密度梯度激发的等离子体的不稳定性和波动。
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公开(公告)号：CN108551716B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201810735642.4
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种等离子体生成设备，包括阳极金属网、电子发射装置、密度梯度调节金属网、磁场生成装置和第一电源。电子发射装置向阳极金属网的方向发射电子，磁场生成装置在两个金属网的轴向施加磁场以约束等离子体。通过调节第一电源的电压值调整等离子体电位；通过密度梯度调节金属网将通过其的等离子体分为两部分，这两部分的等离子体有不一样的电子密度，因此通过密度梯度调节金属网可以调整等离子体的电子密度的径向分布。从而实现了电位均匀分布、电子密度梯度可控的等离子体的生成，进而可以在实验室条件下研究电子密度梯度激发的等离子体的不稳定性和波动。
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公开(公告)号：CN208708004U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821086204.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本实用新型公开一种等离子体生成设备，包括阳极金属网、电子发射装置、密度梯度调节金属网、磁场生成装置和第一电源。电子发射装置向阳极金属网的方向发射电子，磁场生成装置在两个金属网的轴向施加磁场以约束等离子体。通过调节第一电源的电压值调整等离子体电位；通过密度梯度调节金属网将通过其的等离子体分为两部分，这两部分的等离子体有不一样的电子密度，因此通过密度梯度调节金属网可以调整等离子体的电子密度的径向分布。从而实现了电位均匀分布、电子密度梯度可控的等离子体的生成，进而可以在实验室条件下研究电子密度梯度激发的等离子体的不稳定性和波动。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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