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发明公开
一种感性负载下MOSFET开关控制方法无效

公开(公告)号：CN108199704A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810075585.1

申请日：2018-01-26

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 蔺志佳 , 刘任豪 , 张雪

IPC: H03K17/695 , H03K17/081 , H03K17/14 , H03K17/041

Abstract: 本发明涉及一种感性负载下MOSFET开关控制方法，以改善感性负载下MOSFET器件开关过程中的损耗问题和关断尖峰问题。本发明包括一个控制信号模块，一个栅极电阻切换模块，一个负感性载模块以及一个开关器件。其特征在于，控制信号模块输出控制信号到栅极电阻切换模块，栅极电阻切换模块在不同的控制信号下采取适当的栅极电阻组合控制开关器件导通、关闭，最终达到降低开关损耗，抑制电压和电流的振荡和过冲的目的。

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