公开(公告)号：CN116953460A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310343507.6

申请日：2023-04-03

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 张洋 ,  薛晓兰 ,  聂悦 ,  胡宝欣 ,  张志豪 ,  王佳乐 ,  陈令修 ,  石礼伟

IPC: G01R31/26 ,  G01N21/19 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法，包括：步骤1，建立实验系统，所述实验系统包括532nm激光器、两个反射镜、斩波器、小孔空间滤波器、透镜、起偏器、四分之一波片、步进电机、照明白光LED、半反半透平板、分光晶体、电荷耦合器件CCD、显微物镜、二维微纳米平移台、电流放大器和锁相放大器；步骤2，通过实验系统测量微纳器件圆二色性光电流显微成像。本发明使用的光路和测试方法搭建简单，易操作。且价格相对于现有的测试设备低廉。

公开(公告)号：CN115327456B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211065933.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 张洋 ,  薛晓兰 ,  石礼伟 ,  陈令修 ,  聂悦

IPC: G01R33/24 ,  G01R33/12

Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。

公开(公告)号：CN115327456A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211065933.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 张洋 ,  薛晓兰 ,  石礼伟 ,  陈令修 ,  聂悦

IPC: G01R33/24 ,  G01R33/12

Abstract: 本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。