公开(公告)号：CN101967626A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010555637.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 孙彦敏 ,  王庆良 ,  沈涵 ,  张绪平 ,  张磊

IPC: C23C16/27

Abstract: 一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，首先用H2（氢气）气对抛光清洗过的CoCrMo（钴铬钼）合金进行溅射清洗；利用常规射频等离子增强化学气相沉积以SiH4（硅烷）和H2（氢气）为气源，在CoCrMo合金表面沉积Si（硅）膜过渡层；而后采用常规射频等离子增强化学气相沉积以CH4（甲烷）和H2（氢气）为气源，在Si（硅）膜过渡层上制备出DLC膜。本发明制备的膜基之间呈锯齿状结合特征，表明膜基之间有良好的结合性能，克服了因结合性差造成界面承载能力弱的缺点；同时制备的DLC膜含有较高含量的sp3C键，可获得高硬度的DLC膜，有效提高了DLC膜的抗磨损性能。此外本发明具有工艺简单，成本低的优势，在生物材料的表面改性技术领域具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN101967626B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010555637.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 孙彦敏 ,  王庆良 ,  沈涵 ,  张绪平 ,  张磊

IPC: C23C16/27

Abstract: 一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，首先用H2（氢气）气对抛光清洗过的CoCrMo（钴铬钼）合金进行溅射清洗；利用常规射频等离子增强化学气相沉积以SiH4（硅烷）和H2（氢气）为气源，在CoCrMo合金表面沉积Si（硅）膜过渡层；而后采用常规射频等离子增强化学气相沉积以CH4（甲烷）和H2（氢气）为气源，在Si（硅）膜过渡层上制备出DLC膜。本发明制备的膜基之间呈锯齿状结合特征，表明膜基之间有良好的结合性能，克服了因结合性差造成界面承载能力弱的缺点；同时制备的DLC膜含有较高含量的sp3C键，可获得高硬度的DLC膜，有效提高了DLC膜的抗磨损性能。此外本发明具有工艺简单，成本低的优势，在生物材料的表面改性技术领域具有巨大的应用潜力。