-
公开(公告)号:CN104852641A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510245629.7
申请日:2015-05-15
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种电动汽车用开关磁阻电机控制器,该控制器主要包括与电机相连的功率变换器电路、数字信号控制器dsPIC控制板和可编程逻辑器件CPLD控制板,所述电机为三相12/8开关磁阻电机,与所述电机相连的功率变换器采用三相不对称半桥型主电路,dsPIC实现了电机绕组电压和电流的A/D模数转换、磁链检测、转矩估计、转矩调节、电流调节、速度计算和转换角度优化,dsPIC与CPLD协同工作,实现对位置信号的控制和所需PWM波的输出。本发明能够满足电动汽车不同运行工况,实现电机动态转矩闭环控制,减小转矩脉动,提高转矩精度,使得电机在不同运行工况能够平滑切换,提高电机运行效率。
-
公开(公告)号:CN204721115U
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201520478278.X
申请日:2015-07-06
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H02K1/16
Abstract: 本实用新型的双转子径向磁场永磁电机的定子结构,包括定子轭部、定子齿、定子绕组线槽、定子绕组,以及相互配合的定子齿顶中部设有的矩形辅助槽。通过调整定子绕组线槽沿定子铁心内外圆周上的分布情况,从而改变了电机内外两部分所产生齿槽转矩的相位关系,可实现两者间相互抵消的效果,并且专门在各个定子齿顶中部增设了矩形辅助槽,提高了齿槽转矩最低次谐波的次数。综合来看减小了电机齿槽转矩脉动,提高了电机的工作效率和稳定性。
-
公开(公告)号:CN205725693U
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201620319583.9
申请日:2016-04-15
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/08
Abstract: 本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离,并能保证驱动的快速性;高速驱动电路可提供强大的驱动电流;栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压;负压产生电路给栅源极间提供一个负电压,使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET,兼具快速性、隔离性,以及可靠的保护功能。
-
-