公开(公告)号：CN111987899A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010805809.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 中国矿业大学 ,  电光防爆科技股份有限公司

Inventor： 李小强 ,  刘毅 ,  姚宇轩 ,  伍小杰 ,  周露露 ,  赵艺航 ,  蒋苏 ,  徐塑哲

IPC: H02M1/44 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明公开了一种用于单相并网变换器的LCL-EMI滤波器解耦磁集成方法，属于滤波器磁集成技术及电磁技术领域。该方法包括如下步骤：步骤1：采用对称型LCL滤波器拓扑结构替换了传统非对称型LCL滤波器结构；步骤2：采用磁集成技术将对称型LCL滤波器和共模电感集成到同一EE型磁芯上，并建立相应的磁路模型，其中滤波电感和共模电感分别绕制在磁芯边柱和中间磁柱上，磁芯中间磁柱不开气隙，两侧边柱开气隙；步骤3：分析计算所建磁路模型，并对磁芯尺寸以及EE型磁芯的气隙长度进行合理设计。本发明有效抑制共模干扰向差模干扰的转化，减小了滤波电感的匝数和体积，大大降低了输出滤波器的质量和成本。

公开(公告)号：CN111987899B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202010805809.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 中国矿业大学 ,  电光防爆科技股份有限公司

Inventor： 李小强 ,  刘毅 ,  姚宇轩 ,  伍小杰 ,  周露露 ,  赵艺航 ,  蒋苏 ,  徐塑哲

IPC: H02M1/44 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明公开了一种用于单相并网变换器的LCL‑EMI滤波器解耦磁集成方法，属于滤波器磁集成技术及电磁技术领域。该方法包括如下步骤：步骤1：采用对称型LCL滤波器拓扑结构替换了传统非对称型LCL滤波器结构；步骤2：采用磁集成技术将对称型LCL滤波器和共模电感集成到同一EE型磁芯上，并建立相应的磁路模型，其中滤波电感和共模电感分别绕制在磁芯边柱和中间磁柱上，磁芯中间磁柱不开气隙，两侧边柱开气隙；步骤3：分析计算所建磁路模型，并对磁芯尺寸以及EE型磁芯的气隙长度进行合理设计。本发明有效抑制共模干扰向差模干扰的转化，减小了滤波电感的匝数和体积，大大降低了输出滤波器的质量和成本。

公开(公告)号：CN110212740B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201910404032.0

申请日：2019-05-15

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 李小强 ,  王文杰 ,  贺生鹏 ,  林铭恩 ,  伍小杰 ,  余超 ,  纪明理 ,  徐塑哲 ,  周子奇 ,  董云鹤 ,  何承原

IPC: H02M1/092

Abstract: 本发明提供了一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，属于电力电子开关器件驱动电路技术领域。其技术方案为：一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，包括推挽电路和电容辅助电路，推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路；所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管组成。本发明的有益效果为：本发明可以在不减慢两SiC MOSFET开关管的开通和关断速度的前提下，有效降低了由同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管相互产生的串扰电压，并且有效减小了两SiC MOSFET开关管驱动输出电压在开关过程中的震荡。

公开(公告)号：CN110212740A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910404032.0

申请日：2019-05-15

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 李小强 ,  王文杰 ,  贺生鹏 ,  林铭恩 ,  伍小杰 ,  余超 ,  纪明理 ,  徐塑哲 ,  周子奇 ,  董云鹤 ,  何承原

IPC: H02M1/092

Abstract: 本发明提供了一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，属于电力电子开关器件驱动电路技术领域。其技术方案为：一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，包括推挽电路和电容辅助电路，推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路；所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管组成。本发明的有益效果为：本发明可以在不减慢两SiC MOSFET开关管的开通和关断速度的前提下，有效降低了由同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管相互产生的串扰电压，并且有效减小了两SiC MOSFET开关管驱动输出电压在开关过程中的震荡。