公开(公告)号：CN108649785B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201810549178.X

申请日：2018-05-31

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  张雷 ,  张嘉航 ,  伍小杰 ,  石聪聪 ,  张永磊 ,  魏琛

IPC: H02M1/38 ,  H02M7/483

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法，包括以下步骤：获取每相桥臂中点的输出电流；判断输出电流的极性，并根据输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性；获取SiC MOSFET及其驱动板的参数信息，并根据参数信息计算前置死区时间和后置死区时间；将主动开关管开通前的死区时间设定为N倍的前置死区时间，其中，1.5

公开(公告)号：CN108649785A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810549178.X

申请日：2018-05-31

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  张雷 ,  张嘉航 ,  伍小杰 ,  石聪聪 ,  张永磊 ,  魏琛

IPC: H02M1/38 ,  H02M7/483

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法，包括以下步骤：获取每相桥臂中点的输出电流；判断输出电流的极性，并根据输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性；获取SiC MOSFET及其驱动板的参数信息，并根据参数信息计算前置死区时间和后置死区时间；将主动开关管开通前的死区时间设定为N倍的前置死区时间，其中，1.5