公开(公告)号：CN118598084A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410803887.1

申请日：2024-06-20

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 薛晓兰 ,  黄天龙 ,  张洋 ,  张元香 ,  崔茂盛 ,  隋艳伟

IPC: C01B19/00 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供了一种硒插层WSe2正极材料的制备方法及可充镁电池。采用一步溶剂热法，通过静电吸附将铵离子和Se2‑先后引入WSe2层间，铵在高温下将Se2‑还原成硒单质，成功制备了硒插层WSe2正极材料，且通过控制前驱体比例可实现其层间距调控。该发明中，一方面，硒的插入不仅能够有效拓宽层间距，提供Mg2+快速传输通道，还可以作为层间支柱维持材料的结构稳定性，且电化学活性硒能提供额外容量；另一方面，WSe2作为限域框架，能有效缓解硒单质的体积膨胀和穿梭效应，解决了容量快速衰减及可逆性差的问题。采用本发明制备的硒插层WSe2正极材料构筑的可充镁电池表现出高的比容量和优异的循环可逆性与稳定性。