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发明公开
钙钛矿单晶薄片的制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN118880427A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411003294.3

申请日：2024-07-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 罗攀 , 谭骁洪 , 刘展志 , 孙学银 , 罗俊

IPC分类号： C30B7/14 , C30B29/54 , C30B29/64

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片的制备方法，包括：制备钙钛矿过饱和前驱体溶液并进行过滤；使钙钛矿过饱和前驱体溶液升温析出钙钛矿单晶籽晶；选取钙钛矿单晶籽晶用新配置的钙钛矿过饱和前驱体溶液进行培养，并通过控制钙钛矿过饱和前驱体溶液的液面高度促使钙钛矿单晶籽晶横向生长；多次更换新配置的钙钛矿过饱和前驱体溶液，对钙钛矿单晶籽晶重复进行多次横向生长培养，得到钙钛矿单晶薄片。本发明中，利用钙钛矿溶液的逆温溶解特性及溶液高度限制法生长钙钛矿单晶薄片，工艺操作简单，生长成本低；生长得到的钙钛矿单晶薄片结晶质量好，尺寸大，厚度薄，有利于大规模推广应用。