公开(公告)号：CN115198351B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202210998971.4

申请日：2022-08-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 陈川贵 ,  何晔 ,  张晟 ,  白涛 ,  李金 ,  于光波

IPC分类号： C30B15/20

摘要： 本发明公开了一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法，先采集晶体生长速度，计算每个采样时刻晶体生长加速度；如果晶体生长加速度出现拐点，则判断是否同时满足以下两个条件：a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间；b、晶体生长速度大于设定值；如是，则将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元，晶体生长加热单元执行新的加热功率。本方法不但能够实现对温度敏感又滞后晶体的自动生长，而且生长出来的晶体形状可控，晶体内部品质一致性较好。

公开(公告)号：CN115198351A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210998971.4

申请日：2022-08-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 陈川贵 ,  何晔 ,  张晟 ,  白涛 ,  李金 ,  于光波

IPC分类号： C30B15/20

摘要： 本发明公开了一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法，先采集晶体生长速度，计算每个采样时刻晶体生长加速度；如果晶体生长加速度出现拐点，则判断是否同时满足以下两个条件：a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间；b、晶体生长速度大于设定值；如是，则将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元，晶体生长加热单元执行新的加热功率。本方法不但能够实现对温度敏感又滞后晶体的自动生长，而且生长出来的晶体形状可控，晶体内部品质一致性较好。