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公开(公告)号:CN114239251B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202111474485.4
申请日:2021-12-06
申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要: 本发明公开了一种近端多径条件下阵列测向精度的评估方法,属于阵列测向领域,包括步骤:按照阵列阵元空间布阵位置关系构建阵列流型;设定单一信号入射波方向;根据天线阵列与近端强散射体的相对位置关系确定反射系数、阵列近端多径信号路径、多径信号数量和多径信号角度;描述多径信号的复矢量形式;将多径信号的复矢量形式与入射信号矢量合成为复平面上的合成信号矢量形式;将合成信号矢量形式代入阵列测向算法,仿真解算近端多径条件下的阵列测向角度,将该解算角度与入射波理论角度对比,快速评估近端多径效应造成的测向误差。本发明适用于近端强散射体产生多径信号下的阵列测向精度的评估和远端多径效应影响阵列测向精度的评估,具有通用性。
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公开(公告)号:CN114239251A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111474485.4
申请日:2021-12-06
申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要: 本发明公开了一种近端多径条件下阵列测向精度的评估方法,属于阵列测向领域,包括步骤:按照阵列阵元空间布阵位置关系构建阵列流型;设定单一信号入射波方向;根据天线阵列与近端强散射体的相对位置关系确定反射系数、阵列近端多径信号路径、多径信号数量和多径信号角度;描述多径信号的复矢量形式;将多径信号的复矢量形式与入射信号矢量合成为复平面上的合成信号矢量形式;将合成信号矢量形式代入阵列测向算法,仿真解算近端多径条件下的阵列测向角度,将该解算角度与入射波理论角度对比,快速评估近端多径效应造成的测向误差。本发明适用于近端强散射体产生多径信号下的阵列测向精度的评估和远端多径效应影响阵列测向精度的评估,具有通用性。
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